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STP18N65M2

产品描述N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小503KB,共15页
制造商Amphenol(安费诺)
官网地址http://www.amphenol.com/
标准
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STP18N65M2概述

N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP18N65M2规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)12 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度150 °C
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)110 W
表面贴装NO
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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