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日前，三星西安闪存芯片项目取得重要突破，项目二期第二阶段80亿美元投资正式启动。据西安日报报道，“西安造”的高端存储芯片占到整个三星同类产品的37%，占到全世界同类产品的13%。 西安日报报道指出，三星（中国）半导体有限公司生产的主要产品为3D V-Nand 闪存芯片，目前产品通过韩国总部远销欧美、东南亚等地。三星在西安建设的生产线也是当时世界上最先进的半导体生产线之一，代表着半导体行业最尖...[详细]

根据市调公司IHS发布的汽车半导体供应商最新排名，瑞萨电子(Renesas Electronics)仍持续市场龙头地位 ——然而，这很可能是最后一次了，随着恩智浦半导体(NXP )与飞思卡尔半导体(Freescale)的合并，预计将在汽车晶丛林片创造出新的“山丘之王”。IHS指出，这些最新调查数据呈现出一幅均衡、稳定的市场发展样貌，然而，预计一场横扫汽车市场的变化正在悄悄酝酿中。   尽管现有...[详细]

本文主要介绍利用FPGA和matlab实现任意频率信号发生器的功能，并进行仿真，使用Quartus Ⅱ+modelsim+matlab实现功能，以正弦波为例说明，开发芯片频率50MHz 产生正弦波sin信号的mif文件 采用matlab产生mif文件，具体的代码如下： clear; clc; width=8; depth=256; fid =fopen ('sin.mif&#...[详细]

　　自去年至今， OPPO 产品销量与市场地位的突飞猛进，使之进入了媒体的聚光灯之下，诸多媒体(自媒体)包括我个人，都对于 OPPO 的这番逆袭背后的原因何在，做过一定的探析，欲求能在一定程度上解码 OPPO 的成功之道。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。 　　而近几日，“中经e商圈”这一隶属于中国经营报社TMT版组，以专注于科技、媒体和通信平台的微信公众号，也发布了一篇大作——《...[详细]

近日，TCL集团近期接受兴全基金等机构调研时表示，TCL华星的屏下摄像头产品预计2020年内量产。此外，TCL还表示t4一期的良率爬坡情况好于预期，另外还在屏下摄像、极窄边框、可折叠等领域取得了一些优势。 TCL华星中小尺寸产品的合作伙伴覆盖多家品牌厂商，双方共同推进AMOLED产品的设计与认证，已经并将有产品陆续发布。 此前，OPPO在MWC上海站、未来科技大会上展示过OPPO屏下摄像头原...[详细]

　　数字信号处理器具有高效的数值运算能力，并能提供良好的开发环境，而可编程逻辑器件具有高度灵活的可配置性。本文描述了通过采用TMS320C32浮点DSP和可编程逻辑器件(FPGA)的组合运用来构成高速高精运动控制器，该系统通过B样条插值算法对运动曲线进行平滑处理以及运用离散PID算法对运动过程加以控制。 　　运动控制卡已经在数控机床、工业机器人、医用设备、绘图仪、IC电路制造设备、IC封装...[详细]

一、引 言 开发现场总线最初目的是用数字仪表内部所具有的数字信号替代4～20mA等模拟信号实现控制室与现场之间的信息传输，最初应用于过程控制及制造业。现场总线应用以后，人们得到了更多的好处。例如控制功能彻底分散到现场，先进的现场设备管理功能得以实现，系统的可靠性大大提高等等。现场总线有过不同的定义，其实质是指应用在测控现场，实现现场设备、系统管控设备之间信息交换的串行双向数字通信网络。从这一概念...[详细]

    据外媒报道，如果对于一些希望换掉iPhone电池的用户来说，这将是一个好消息：     iPhone电池更换等待时间将有望缩短。据Business Insider报道，巴克莱分析师表示，新电池的等待时间将从1月份的平均四周缩短至现在的平均两周。 　　此外，最长的等待时间也已经缩短，从六周缩短到四周半，这主要可能取决于手机型号和位置。 　　这些数据来自巴克莱对30家苹果商店的研...[详细]

芯片和PCB之间焊接完成后，为了判断芯片焊接是否良好，除了常用的开短路方法，还可以利用万用表的二极管档位进行测试，方法如下： 1、利用万用表二极管档位，红表笔接GND，黑表笔接到芯片的IO管脚上，如果能读取到一个二极管的压降值，便可以判断芯片和PCB之间良好接触。 2、参考网上找到的芯片内部结构，芯片IO管脚位置都有ESD二极管，所以万用表测试到的二极管压降就是这个二极管。 参考链接：https...[详细]

通过对变压器拓扑结构的了解，本次设计的高压电源采用的拓扑结构确定为全桥变换。因为适用于大功率。 上图所示全桥电路结构,基本原理为:直流电压Uin经过VT1、VD1～VT4、VD4组成的全桥开关变换器,在Tr初级得到交流方波电压uAB,经变压器升压或降压,再由输出整流桥变换成直流方波,最后通过电感Lf、电容Cf组成的滤波器,在Cf上得到平直的直流电压。 全桥DC/DC变换器有四种控制策略...[详细]

腾讯科技 Kathy 1月27日编译 巴蒂尔·代尔（Shane Dyer）的周围环绕着十几种家用电器和装置，分别由不同的制造商生产。他手握智能手机，用一个时尚雅致的应用操作每一种家电：打开或关闭一系列灯泡，检查一个烟雾探测器，甚至调整一台冰箱的温度。 这是一幅“智能家居乌托邦”的景象，它看上去虽然很简单，但在平常人生活中却是遥不可及。在代尔精心打造的这个房间之外，人们难以在现实生活中看到这样...[详细]

1、对全局变量的初始化。 2、还没发现的事例。 /*************************************************/ 先上连接文件sct LR_ROM1 0x30000000 0x00010000 { ; load region size_region ER_ROM1 0x30000000 0x00010000 { ; load addres...[详细]

由于工艺技术进步提升了性能并降低功耗和成本，FPGA正从外围逻辑应用进入到信号处理系统核心，威胁到传统DSP处理器的领地。面对FPGA和DSP孰优孰劣的追问，DSP芯片巨头德州仪器(TI)表示，在大部分情况下FPGA和DSP都是互补的，尤其是在小批量应用中；但到了大批量生产阶段，可编程DSP方案提供了通往量产的最佳途径，可通过增加高性能硬件加速器取代FPGA。 随着工艺提升，ASIC的成本越来...[详细]

最近在看飞思卡尔s12系列CAN部分，发现波特率计算这块没有一个讲的详细的，在数据手册里也没有详细说明。 经过仔细研究，特将CAN部分波特率计算总结出来。 引用部分CAN波特率计算资料如下： 简单介绍一个波特率的计算，在CAN的底层协议里将CAN数据的每一位时间(TBit）分为许多的时间段(Tscl)，这些时间段包括： A． 位同步时间(Tsync) B． 时间段1(Tseg1) C...[详细]

10 月 29 日消息，《韩国经济日报》表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过 400，而预计于 2027 年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。 三星目前最先进的 NAND 和 DRAM 工艺分别为第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 纳米级）DRAM。 报道表示三星第 10 代（即下代） V...[详细]