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2.0SMCJ22AT/R7

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 2000W, 22V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小113KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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2.0SMCJ22AT/R7概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 2000W, 22V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN

2.0SMCJ22AT/R7规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-214AB
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大击穿电压28 V
最小击穿电压24.4 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散2000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压22 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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2.0SMCJ22A SERIES
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR PEAK PULSE POWER 2000 Watts
STAND-OFF VOLTAGE
FEATURES
• For surface mounted applications in order to optimize board space.
0.245(6.22)
0.280(7.11)
0.260(6.60)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.103(2.62)
0.079(2.00)
0.008(0.203)
0.002(0.051)
22~24 Volts
0.128(3.25)
• Built-in strain relief
• Glass passivated junction
• Low inductance
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: JEDEC DO-214AB,Molded plastic over passivated junction.
• Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band denotes cathode end
• Standard Packaging:16mm tape (EIA-481)
• Weight: 0.007 ounce, 0.021 gram
0.050(1.27)
0.030(0.76)
0.320(8.13)
0.305(7.75)
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
For Capacitive load derate current by 20%.
Rating
Peak Pulse Power Dissipation (I
PP
x V
CMAX
) at T
A
= 25
O
C ( Notes 1,2,4 )
Peak Pulse Current on 10/1000s waveform ( Notes 1 )
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on
Rated Load (JEDEC Method) ( Notes 3 )
Typical Thermal Resistance Junction to Air ( Notes 2 )
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
P
PP
I
PPM
I
FSM
R
JA
T
J
,T
STG
0.108(2.75)
Value
2000
See table
200
82
-55 to +150
0.220(5.59)
• Low profile package
Units
Watts
Amps
Amps
O
C/W
O
C
Reverse
Stand-off
Voltage
Part Number
V
RWM
(Notes 5)
Breakdown
Voltage
V
BR
@ I
T
Test
Current
I
T
Reverse
Leakage
I
R
@ V
RWM
A
1
1
Max. Clamp
Voltage
10/1000s
V
C
@ I
PP
V
35.5
38.9
Peak Pulse
Current
10/1000s
I
PP
A
56.3
51.4
AEX
AEZ
Marking
Code
Mi n.
V
2.0SMCJ22A
2.0SMCJ24A
22
24
V
24.4
26.7
Max.
V
28
30.7
mA
1
1
NOTES :
1. Non-repetitive current pulse.
2. Mounted on 2.0mm
2
( .013mm thick) land areas.
3. Measured on 8.3ms , single half sine-wave or equivalent square wave , duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.
4. Peak pulse power waveform is 10/1000μs.
5. A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V
RWM
), which should be equal to or greater than the DC
or continuous peak operating voltage level.
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