eeprom 2kx8 - 2.5V lead free package
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | TSSOP |
包装说明 | 4.40 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MO-153, TSSOP-8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | 1 MILLION ERASE/WRITE CYCLES |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz |
数据保留时间-最小值 | 200 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1010MMMR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 4.4 mm |
内存密度 | 16384 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 2048 words |
字数代码 | 2000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 2KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 2/5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.1 mm |
串行总线类型 | I2C |
最大待机电流 | 0.000001 A |
最大压摆率 | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
宽度 | 3 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
写保护 | HARDWARE |
Base Number Matches | 1 |
24LC16B-I/STG | SMK325BJ333MN-T | 24LC16B/P | |
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描述 | eeprom 2kx8 - 2.5V lead free package | Medium-high Voltage Multilayer Ceramic Capacitors | eeprom 2kx8 - 1.8V |
是否无铅 | 不含铅 | - | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
零件包装代码 | TSSOP | - | DIP |
包装说明 | 4.40 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MO-153, TSSOP-8 | - | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 | - | 8 |
Reach Compliance Code | compli | - | compli |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
其他特性 | 1 MILLION ERASE/WRITE CYCLES | - | 1000K ERASE/WRITE CYCLES; CAN BE ORGANIZED AS 8 BLOCKS OF 256 BYTES; DATA RETENTION >200 YEARS |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz | - | 0.4 MHz |
数据保留时间-最小值 | 200 | - | 200 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles | - | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1010MMMR | - | 1010MMMR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | - | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e3 | - | e3 |
长度 | 4.4 mm | - | 9.9695 mm |
内存密度 | 16384 bi | - | 16384 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM | - | EEPROM |
内存宽度 | 8 | - | 8 |
功能数量 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 8 | - | 8 |
字数 | 2048 words | - | 2048 words |
字数代码 | 2000 | - | 2000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | - | 70 °C |
组织 | 2KX8 | - | 2KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP | - | DIP |
封装等效代码 | TSSOP8,.25 | - | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | - | IN-LINE |
并行/串行 | SERIAL | - | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | - | NOT APPLICABLE |
电源 | 2/5 V | - | 3/5 V |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.1 mm | - | 4.064 mm |
串行总线类型 | I2C | - | I2C |
最大待机电流 | 0.000001 A | - | 0.00003 A |
最大压摆率 | 0.003 mA | - | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V | - | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | 3 V |
表面贴装 | YES | - | NO |
技术 | CMOS | - | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | - | COMMERCIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | - | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式 | GULL WING | - | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 0.65 mm | - | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | - | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | - | NOT APPLICABLE |
宽度 | 3 mm | - | 7.62 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | - | 5 ms |
写保护 | HARDWARE | - | HARDWARE |
Base Number Matches | 1 | - | 1 |
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