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BAV23C: 产品描述0.225 A, 250 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小299KB，共1页; 制造商南晶电子(DGNJDZ)

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BAV23C概述

0.225 A, 250 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

0.225 A, 250 V, 2 组成, 硅, 信号二极管

BAV23C规格参数

参数名称	属性值
端子数量	3
元件数量	2
加工封装描述	SOT-23, 3 PIN
状态	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY
结构	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
最大功耗极限	0.2500 W
二极管类型	SIGNAL DIODE
反向恢复时间最大	0.0500 us
最大重复峰值反向电压	250 V
最大平均正向电流	0.2250 A

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DONGGUAN NANJING ELECTRONICS LTD.,

SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes

BAV23A/C/S

SCHOTTKY BARRIER DIODE

SOT-23

FEATURES

Fast Switching Speed

High Conductance

For General Purpose Switching Applications

BAV23A

BAV23C

BAV23S

MARKING: KT7

MARKING: KT6

MARKING:KL31

MAXIMUM RATINGS ( T

=25

℃

unless otherwise noted )

Symbol

RRM

RWM

R(RMS)

FSM

ΘJA

stg

Power Dissipation

Thermal Resistance from Junction to Ambient

Junction Temperature

Storage Temperature

Parameter

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

RMS Reverse Voltage

Average Rectified Output Current

Non-repetitive Peak Forward Surge Current @ t=1μs

@ t=100μs

@ t=10ms

250

175

400

1.7

350

286

125

-55~+150

℃/W

℃

Value

Unit

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T

=25

℃

unless otherwise specified)

Parameter

Reverse voltage

Reverse current

Forward voltage

Total capacitance

Reverse recovery time

Symbol

(BR)

tot

=100μA

=250V

=100mA

=200mA

=0V,f=1MHz

= I

=30mA, I

=0.1×I

, R

=100Ω

Test conditions

Min

250

0.1

1.25

Typ

Max

Unit

μA

B,Jul,2012

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