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SMF12A

产品描述1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-219AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小183KB,共3页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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SMF12A概述

1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-219AB

1000 W, 单向, 硅, 瞬态抑制二极管, DO-219AB

SMF12A规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
最小击穿电压13.3 V
加工封装描述HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式FLAT
端子涂层MATTE 锡
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
工艺AVALANCHE
结构单一的
二极管元件材料
极性单向
二极管类型TRANS 电压 SUPPRESSOR 二极管
关闭电压12 V
最大非重复峰值转速功率1000 W

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SMF5.0A -
S
MF170A
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
Stand- off Voltage : 5
to 170 V
Peak Power :
200 W
FEATURES :
* Stand-off voltage ; 5 - 170 Volts
* Peak Power ; - 200 Watts @ 1 ms (SMF5.0A - SFM58A)
- 175 Watts @ 1 ms (SFM60A - SFM170A)
* Maximum clamp voltage @ Peak pulse current
* Low leakage
SOD-123
2.7
2.6
* Pb / RoHS Free
3.9
3.7
MECHANICAL DATA :
* Case : SOD-123 plastic Case
* Weight : approx. 0.01 g
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Maximum P
PK
Dissipation (PW - 10/1000 s)
(Note 1)
SMF60A - SMF170A
SMF5.0A - SMF58A
Symbol
P
PK
P
PK
P
D
Value
175
200
1000
385
4.0
Unit
W
W
W
mW
mW/ °C
Maximum P
PK
Dissipation @ Ta = 25 °C (PW - 8/10 s) (Note 2)
DC Power Dissipation @ Ta = 25 °C
Derate above 25 °C
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 3)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Notes :
(1) Non repetitive current pulse at Ta = 25°C, per waveform of Fig. 2.
(Note 3)
R
JA
325
-55 to +150
°C/W
°C
T
J
, T
STG
(2) Non repetitive current pulse at Ta = 25°C, per waveform of Fig. 5.
(3) Mounted with recommended minimum pad size, DC board FR4.
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