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2KG023075JL

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小33KB,共1页
制造商士兰微(Silan)
官网地址http://www.silanic.com.cn/
标准
杭州士兰微电子股份有限公司(上交所股票代码:士兰微,600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。
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2KG023075JL概述

Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM),

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2KG023075JL
2KG023075JL SWITCHING DIODE CHIPS
DESCRIPTION
Ø
2KG023075JL is a high speed switching diode chip
fabricated in planar technology.
Ø
Ø
This chip can be encapsulated as 1N4148 switching diode.
This chip has several thicknesses, can suit for different
plastic package. The top electrodes material is Al, and the
back-side electrodes material is Au.
Ø
Chip size: 0.23 X 0.23 (mm)
2
2KG023XXX CHIP TOPOGRAPHY
2KG023075JL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
=25°C)
Characteristics
Forward Voltage
Reverse Voltage
Reverse Current
Diode Capacitance
Reverse Recovery Time
Symbol
V
F
V
BR
I
R
C
d
t
rr
Test Conditions
I
F
=10mA.
I
F
=100mA.
I
B
=100µA.
V
R
=20V.
V
R
=75V.
f=1MHz; V
R
=0.
When switched from I
F
=10mA to
V
R
=6V; R
L
=100Ω; measured at
I
R
=1mA.
--
--
4
ns
Min.
--
0.62
100
--
--
--
Typ.
--
0.9
120
--
--
1.9
Max.
1.0
1.2
--
25
5
4
Unit
V
V
V
nA
µA
pF
HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO.,LTD
Http: www.silan.com.cn
REV:1.0
2006.04.25
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