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BAV19W: 产品描述0.2 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小101KB，共3页; 制造商南晶电子(DGNJDZ)

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BAV19W概述

0.2 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE

0.2 A, 120 V, 硅, 信号二极管

BAV19W规格参数

参数名称	属性值
端子数量	2
元件数量	1
加工封装描述	SOD-123, 2 PIN
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
包装形状	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子涂层	锡银
端子位置	双
包装材料	塑料/环氧树脂
结构	单一的
二极管元件材料	硅
最大功耗极限	0.4100 W
二极管类型	信号二极管
反向恢复时间最大	0.0500 us
最大重复峰值反向电压	120 V
最大平均正向电流	0.2000 A

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BAV19W, BAV20W, BAV21W

Silicon Epitaxial Planar Diodes

High Voltage Switching Diode

PINNING

DESCRIPTION

Cathode

Anode

Features

• Fast switching speed

• Surface mount package ideally suited for

automatic insertion

Top View

Marking Code:

Simplified outline SOD-123 and symbol

Absolute Maximum Ratings (T

= 25

Parameter

Repetitive Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

BAV19W

BAV20W

BAV21W

BAV19W

BAV20W

BAV21W

Symbol

RRM

F(AV)

FRM

at t = 1 ms

at t = 1 s

FSM

, T

stg

Value

120

200

250

100

150

200

400

625

2.5

0.5

250

- 65 to + 150

Unit

Average Rectified Forward Current

Forward Continuous Current

Repetitive Peak Forward Current

Non-repetitive Peak Forward Surge Current

Power Dissipation

Operating and Storage Temperature Range

Characteristics at T

= 25

Parameter

Forward Voltage

at I

= 100 mA

at I

= 200 mA

Reverse Breakdown Voltage

at I

= 100 µA

BAV19W

BAV20W

BAV21W

BAV19W

BAV20W

BAV21W

Symbol

Min.

120

200

250

Max.

1.25

100

Unit

(BR)R

Reverse Current

at V

= 100 V

at V

= 150 V

at V

= 200 V

Total Capacitance

at V

= 0 , f = 1 MHz

Reverse Recovery Time

at I

= I

= 30 mA, I

= 0.1I

, R

= 100

Ω

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