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BC328: 产品描述500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小71KB，共2页; 制造商南晶电子(DGNJDZ)

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BC328概述

500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

500 mA, 25 V, PNP, 硅, 小信号晶体管, TO-92

BC328规格参数

参数名称	属性值
最大集电极电流	0.5000 A
最大集电极发射极电压	25 V
端子数量	3
加工封装描述	TO-92-18R, 3 PIN
each_compli	Yes
状态	Active
结构	SINGLE
最小直流放大倍数	100
jedec_95_code	TO-92
jesd_30_code	O-PBCY-T3
jesd_609_code	e0
moisture_sensitivity_level	NOT SPECIFIED
元件数量	1
最大工作温度	150 Cel
包装材料	PLASTIC/EPOXY
包装形状	ROUND
包装尺寸	CYLINDRICAL
eak_reflow_temperature__cel_	NOT SPECIFIED
larity_channel_type	PNP
wer_dissipation_max__abs_	0.6250 W
qualification_status	COMMERCIAL
sub_category	Other Transistors
表面贴装	NO
端子涂层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
额定交叉频率	80 MHz

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BC327…BC328

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

for switching and amplifier applications

These types are subdivided into three groups -16,

-25 and -40, according to their DC current gain.

1. Collector 2. Base 3. Emitter

TO-92 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T

= 25

Parameter

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

Peak Collector Current

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

Symbol

-V

CBO

-V

CEO

-V

EBO

-I

tot

BC327

800

625

150

BC328

Unit

- 55 to + 150

Characteristics at T

= 25

Parameter

DC Current Gain

at -V

= 1 V, -I

= 100 mA

at -V

= 1 V, -I

= 300 mA

Current Gain Group

-16

-25

-40

-16

-25

-40

Symbol

-I

CBO

-V

(BR)CBO

-V

(BR)CEO

-V

(BR)EBO

-V

CE(sat)

-V

BE(on)

CBO

Min.

100

160

250

100

170

Typ.

100

Max.

250

400

630

100

0.7

1.2

Unit

MHz

Collector Base Cutoff Current

at -V

= 45 V

at -V

= 25 V

Collector Base Breakdown Voltage

at -I

= 100 µA

Collector Emitter Breakdown Voltage

at -I

= 10 mA

Emitter Base Breakdown Voltage

at -I

= 100 µA

Collector Emitter Saturation Voltage

at -I

= 500 mA, -I

= 50 mA

Base Emitter On Voltage

at -V

= 1 V, -I

= 300 mA

Gain Bandwidth Product

at -V

= 5 V, -I

= 10 mA, f = 50 MHz

Collector Base Capacitance

at -V

= 10 V, f = 1 MHz

BC327

BC328

BC327

BC328

BC327

BC328

Dated : 27/12/2007

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