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BAT54WS: 产品描述0.1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小76KB，共3页; 制造商南晶电子(DGNJDZ)

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BAT54WS概述

0.1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE

0.1 A, 30 V, 硅, 信号二极管

BAT54WS规格参数

参数名称	属性值
端子数量	2
元件数量	1
加工封装描述	ULTRA SMALL, 塑料 PACKAGE-2
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
包装形状	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子涂层	MATTE 锡
端子位置	双
包装材料	塑料/环氧树脂
工艺	SCHOTTKY
结构	单一的
二极管元件材料	硅
最大功耗极限	0.2000 W
二极管类型	信号二极管
反向恢复时间最大	0.0050 us
最大重复峰值反向电压	30 V
最大平均正向电流	0.1000 A

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BAT54WS

SCHOTTKY BARRIER DIODE

Features

• Low forward voltage

• Guard ring protected

• Small plastic SMD SOD-323 package

PINNING

DESCRIPTION

Cathode

Anode

Applications

• Ultra high-speed switching

• Voltage clamping

• Protection circuits

Top View

Marking Code: "S1"

Simplified outline SOD-323 and symbol

Absolute Maximum Ratings (T

= 25

Parameter

Reverse Voltage

Forward Current

Repetitive Peak Forward Current

Peak Forward Surge Current (t

= 10 ms)

Power Dissipation

Thermal Resistance from Junction Ambient

Junction Temperature

Storage Temperature Range

Symbol

FRM

FSM

thJA

Value

200

300

600

230

500

125

- 65 to + 150

Unit

K/W

Characteristics at T

= 25

Parameter

Forward Voltage

at I

= 0.1 mA

at I

= 1 mA

at I

= 10 mA

at I

= 30 mA

at I

= 100 mA

Reverse Current

at V

= 25 V

Total Capacitance

at V

= 1 V, f = 1 MHz

Reverse Recovery Time

at I

= 10 mA, V

= 6 V, I

= 10 mA, R

= 100

Ω

Symbol

Max.

240

320

400

500

800

Unit

µA

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