Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> BAS-04

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BAS-04: 产品描述0.2 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小84KB，共2页; 制造商南晶电子(DGNJDZ)

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BAS-04概述

0.2 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE

0.2 A, 70 V, 硅, 信号二极管

BAS-04规格参数

参数名称	属性值
端子数量	3
元件数量	1
加工封装描述	塑料, SOT-23, 3 PIN
状态	DISCONTINUED
包装形状	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子涂层	锡铅
端子位置	双
包装材料	塑料/环氧树脂
工艺	SCHOTTKY
结构	单一的
二极管元件材料	硅
最大功耗极限	0.2000 W
二极管类型	信号二极管
反向恢复时间最大	0.0050 us
最大重复峰值反向电压	70 V
最大平均正向电流	0.2000 A

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BAS70 / -04 / -05 / -06

Surface Mount Schottky Barrier Diode

Features

• Low turn-on voltage

• Fast switching

• PN junction guard ring for transient and ESD protection

BAS70

BAS70-04

BAS70-05

BAS70-06

SOT-23 Plastic Package

BAS70

Marking Code:

BAS70-04 Marking Code:

BAS70-05 Marking Code:

BAS70-06 Marking Code:

Absolute Maximum Ratings (T

= 25

Parameter

Repetitive Peak Reverse Voltage

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Average Forward Rectified Current

Peak Forward Surge Current (t < 10 ms)

Power Dissipation

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Symbol

RRM

RSM

F(AV)

FSM

θJA

stg

Value

100

200

625

- 55 to + 125

- 65 to + 150

Unit

C/W

Characteristics at T

= 25

Parameter

Forward Voltage

at I

= 1 mA

at I

= 15 mA

Reverse Breakdown Voltage

at I

= 10 µA

Reverse Current

at V

= 50 V

Total Capacitance

at V

= 0 , f = 1 MHz

Reverse Recovery Time

at I

= I

= 10 mA to I

= 1 mA, R

= 100

Ω

Symbol

(BR)R

Min.

Max.

0.41

100

Unit

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