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SiC02A065NS

产品描述Product Status:NSND, VRRM(A):650, IF(V):2, VF Typ.(A):1.5, @IF(µA):2, IR Max.(V):50, @VR(W):650, PD(nC):30, QC:6
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小493KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SiC02A065NS概述

Product Status:NSND, VRRM(A):650, IF(V):2, VF Typ.(A):1.5, @IF(µA):2, IR Max.(V):50, @VR(W):650, PD(nC):30, QC:6

SiC02A065NS规格参数

参数名称属性值
Product StatusNSND
VRRM(A)650
IF(V)2
VF Typ.(A)1.5
@IF(µA)2
IR Max.(V)50
@VR(W)650
PD(nC)30
QC6
PackageTO-252AA
Circuit FigureFig_250

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SiC02A065NS
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
Voltage
Features
650 V
Current
2A
TO-252AA
Unit: inch(mm)
Temperature Independent Switching Behavior
Low Conduction and Switching Loss
High Surge Current Capability
Positive Temperature Coefficient on V
F
Fast Reverse Recovery
Mechanical Data
Case: Molded plastic, TO-252AA
Marking: 02A065NS
Benefits
High Frequency Operation
Higher System Efficiency
Environmental Protection
Parallel Device Convenience
Hard Switching & High Reliability
High Temperature Application
Maximum Ratings
PARAMETER
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
SYMBOL
V
RRM
V
RSM
V
R
TEST CONDITIONS
T
J
=25
o
C
T
J
=25
o
C
T
J
=25
o
C
T
C
=25
o
C
Continuous Forward Current
I
F(AV)
T
C
=125
o
C
T
C
=150
o
C
Repetitive Peak Forward Surge Current
(T
P
=10mS, Half Sine Wave, D=0.1)
T
C
=25 C
I
FRM
T
C
=125
o
C
o
VALUE
650
650
650
6.5
3.5
2
15
12
UNITS
V
V
V
A
A
A
A
A
June 13,2016-REV.00
Page 1
MPLAB X 3.35编译报错
在MPLAB V8.92下面编译通过,但是在MPLAB X 3.35下面编译就报如下错误。编译器同为XC8 V1.30. ../source/driver/interrupt.c:206: error: (1358) no space for _do_polling_cmd temps (96) ...
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