电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

3KP85A

产品描述3000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小65KB,共3页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
下载文档 在线购买 全文预览

3KP85A在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
3KP85A - - 点击查看 点击购买

3KP85A概述

3000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

3KP85A文档预览

下载PDF文档
3KP5.0CA---3KP190CA
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
3000 Watt Peak Power
Dimension
Dim
A
B
C
D
Millimeters
Min
25.4
8.6
1.2
8.6
Max
---
9.1
1.3
9.1
Inches
Min
1.000
0.340
0.048
0.340
Max
---
0.360
0.052
0.360
R-6
Specification
Reverse
Stand-Off
Voltage
V
RMW
(V)
5.0
5.0
6.0
6.0
6.5
6.5
7.0
7.0
7.5
7.5
8.0
8.0
8.5
8.5
9.0
9.0
10
10
11
11
12
12
13
13
Breakdown
Voltage
Min. @I
T
V
BR MIN
(V)
6.40
6.40
6.67
6.67
7.22
7.22
7.78
7.78
8.33
8.33
8.89
8.89
9.44
9.44
10.0
10.0
11.1
11.1
12.2
12.2
13.3
13.3
14.4
14.4
Breakdown
Voltage
Max. @ I
T
V
BR MAX
(V)
7.55
7.25
8.45
7.67
9.14
8.30
9.86
8.95
10.67
9.58
11.3
10.23
11.92
10.82
12.6
11.5
14.1
12.8
15.4
14.0
16.9
15.3
18.2
16.5
Test
Current
I
T
(mA)
10
10
10
10
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
Maximum
Clamping
Voltage
@I
PP
V
C
(V)
9.6
9.2
11.4
10.3
12.3
11.2
13.3
12.0
14.3
12.9
15.0
13.6
15.9
14.4
16.9
15.4
18.8
17.0
20.1
18.2
22.0
19.9
23.8
21.5
Peak
Pulse
Current
I
PP
(A)
312.5
326.1
263.2
291.3
243.9
267.9
225.6
250.0
209.8
232.6
200.0
220.6
188.7
208.3
177.5
194.8
159.6
176.5
149.3
164.8
136.4
150.8
126.1
139.5
Reverse
Leakage
@V
RMW
I
R
(uA)
1000.0
1000.0
1000.0
1000.0
500.0
500.0
200.0
200.0
50.0
50.0
10.0
10.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
Type Number
(Uni)
3KP5.0
3KP5.0A
3KP6.0
3KP6.0A
3KP6.5
3KP6.5A
3KP7.0
3KP7.0A
3KP7.5
3KP7.5A
3KP8.0
3KP8.0A
3KP8.5
3KP8.5A
3KP9.0
3KP9.0A
3KP10
3KP10A
3KP11
3KP11A
3KP12
3KP12A
3KP13
3KP13A
(Bi)
3KP5.0C
3KP5.0CA
3KP6.0C
3KP6.0CA
3KP6.5C
3KP6.5CA
3KP7.0C
3KP7.0CA
3KP7.5C
3KP7.5CA
3KP8.0C
3KP8.0CA
3KP8.5C
3KP8.5CA
3KP9.0C
3KP9.0CA
3KP10C
3KP10CA
3KP11C
3KP11CA
3KP12C
3KP12CA
3KP13C
3KP13CA
For Bi-directional type having VRWM of 10 Volts and less, the IR limit is double
EEWORLD大学堂----电源设计小贴士42:可替代集成MOSFET的分立器件
电源设计小贴士42:可替代集成MOSFET的分立器件:https://training.eeworld.com.cn/course/131...
zhangjianee 电源技术
写windows驱动,需要懂得 windows操作系统原理吗
写windows驱动,需要懂得 windows操作系统原理吗...
vtyvpn 嵌入式系统
AVR的mega128单片机对SHT11温湿度传感器采集
求帮忙下载这个资源 很急 万分感谢...
杰哥要牛逼了 下载中心专版
移动通信系统中常见的RF干扰原因
可能造成射频 干扰的原因正不断增多,有些显而易见容易跟踪,有些则非常细微,很难识别发现。虽然仔细设计基站可以提供一定的保护,但多数情况下对干扰信号只能在源头处进行控制。本文讨论射 ......
Jacktang 能源基础设施
arm_design(基于ARM的嵌入式系统(软件设计))
arm_design(基于ARM的嵌入式系统(软件设计))...
carla ARM技术
Enet_tcp -客户端.
这是我根据网友academic以太网学习的例子改的,作为客户端链接主机的时候一直没有反应。请教大家问题出在哪里? #include #include "inc/hw_ints.h" #include "inc/hw_memmap.h" #include ......
longxtianya 微控制器 MCU
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved