Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> 1N5230B

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1N5230B: 产品描述4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小78KB，共3页; 制造商南晶电子(DGNJDZ)

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1N5230B概述

4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

4.7 V, 0.5 W, 硅, 单向电压稳压二极管, DO-35

1N5230B规格参数

参数名称	属性值
端子数量	2
元件数量	1
额定工作电压	4.7 V
加工封装描述	GLASS, SC-40, 2 PIN
状态	ACTIVE
包装形状	ROUND
包装尺寸	LONG FORM
端子形式	WIRE
端子涂层	TIN LEAD
端子位置	AXIAL
包装材料	GLASS
工艺	ZENER
结构	SINGLE
壳体连接	ISOLATED
二极管元件材料	SILICON
最大功耗极限	0.5000 W
极性	UNIDIRECTIONAL
二极管类型	VOLTAGE REGULATOR DIODE
工作测试电流	20 mA
最大总参考电压	5 %

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1N5220...1N5267

Silicon Planar Zener Diodes

Standard Zener voltage tolerance is ± 20%.

Add suffix "A" for ± 10% Tolerance, suffix

"B" for ± 5% tolerance, suffix "C" for ± 2%

tolerance, Other tolerance, non standard

and higher Zener voltages are upon request.

Max. 0.5

Max. 0.45

Max. 1.9

Min. 27.5

Max. 1.9

Min. 27.5

Black

Cathode Band

Black

Part No.

Black

Cathode Band

XXX

Max. 3.9

Black

Part No.

XXX

Max. 2.9

Min. 27.5

Glass Case DO-35

Dimensions in mm

Glass Case DO-34

Dimensions in mm

Absolute Maximum Ratings (T

= 25

Parameter

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

Symbol

tot

stg

Value

500

Unit

200

- 65 to + 200

Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case.

Characteristics at T

= 25

Parameter

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Forward Voltage

at I

= 200 mA

Symbol

thA

Max.

0.3

1.1

Unit

K/mW

Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case.

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