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MB3S

产品描述BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小88KB,共2页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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MB3S概述

BRIDGE RECTIFIER DIODE

桥式整流二极管

MB3S规格参数

参数名称属性值
状态ACTIVE
二极管类型桥式整流二极管

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MB1S
THRU
MB10S
MINI SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
VOLTAGE RANGE
100 to
1000
Volts
CURRENT
1.0
Ampere
SMD/MB-S
FEATURES
* Ideal for printed circuit board
* Reliable low cost construction utilizing molded
plastic technique
* High surge current capability
* Polarity: marked on body
* Mounting position: Any
* Weight: 1.0 grams
* Both normal and Pb free product are available:
* Normal:80~95%Sn,5~20%Pb
* Pb free:99 Sn above can meet Rohs enviroment substance
directive request
+
.158(4.0)
.142(3.6)
~
~
.008(.2)
.275(7)MAX
.043(1.1)
.027(0.7)
.106(2.7)
.090(2.3)
.031(.8)
.019(.5)
.193(4.9)
.177(4.5)
.106(2.7)
.090(2.3)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375"(9.5mm) Lead Length at Ta=40 C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge Element at 1.
0
A D.C.
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Operating Temperature Range, Tj
Storage Temperature Range, TSTG
Ta=125 C
MB1S
MB2S
MB4S
MB6S
MB8S
MB10S
UNITS
100
700
100
200
140
200
400
280
400
1.0
35
1.0
5
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
uA
uA
C
C
500
-65 +150
-65 +150
STM32调用STM32F10x_FLASH_H中的内容全部提示错误-已解决
开发环境IAR4.42A调用flash库中的函数全部提示下面类似的错误,Error:function"FLASH_Unlock"declaredimplicitly请大家帮帮忙啊...
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