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US2M

产品描述2 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小74KB,共2页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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US2M概述

2 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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US2A
THRU
US2M
2.0 AMP SURFACE MOUNT ULTRA FAST RECTIFIERS
VOLTAGE RANGE
FEATURES
* Low forward voltage drop
* High current capability
* High reliability
* High surge current capability
* High speed switching
* Both normal and Pb free product are available:
* Normal:80~95%Sn,5~20%Pb
* Pb free:99 Sn above can meet Rohs enviroment substance
directive request
.083(2.11)
.075(1.91)
50 to 1000 Volts
CURRENT
2.0 Ampere
DO-214AA(SMB)
.155(3.94)
.130(3.30)
.185(4.70)
.160(4.06)
MECHANICAL DATA
* Case: Molded plastic
* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
* Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-750,
method 2026 guranteed
* Polarity: Color band denotes cathode end
* Mounting position: Any
* Weight: 0.064 grams
.111(2.84)
.091(2.33)
.050(1.27)
.030(0.76)
.008
MAX.
(.203)
.220(5.59)
.200(5.08)
.012(0.31)
.006(0.15)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 2.0A
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Ta=100 C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range Tj, TSTG
NOTES:
US2A
US2B
US2D
US2G
US2J
US2K
US2M
UNITS
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
2.0
30
1.3
5.0
150
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
mA
mA
nS
pF
C
1.0
1.70
50
20
-65 +150
75
1. Reverse Recovery Time test condition: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A
2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
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