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RS805

产品描述8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小205KB,共2页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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RS805概述

8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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RS801
THRU
RS807
SINGLE PHASE 8.0 AMP BRIDGE RECTIFIERS
VOLTAGE RANGE
50 to 1000 Volts
CURRENT
8.0 Amperes
FEATURES
* Ideal for printed circuit board
* Low forward voltage
* Low leakage current
* Polarity: marked on body
* Mounting position: Any
1.00
MIN.
(25.4)
.700(17.8)
.660(16.8)
RS-8
.935(23.7)
.895(22.7)
.15
Φ
X.23L
(3.8
Φ
X5.7L)
HOLE THRU
.780(19.8)
.740(18.8)
AC
+
* Both normal and Pb free product are available:
* Normal:80~95%Sn,5~20%Pb
* Pb free:99 Sn above can meet Rohs enviroment substance
directive request
.078
(2.0)
.052(1.3)
.048(1.2)
DIA.
.220(5.6)
SPACING
.180(4.6)
.280(7.1)
.268(6.8)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375"(9.5mm) Lead Length at Tc=50 C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge Element at
4.0A
D.C.
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Operating Temperature Range, T
J
Storage Temperature Range, T
STG
Ta=100 C
RS801 RS802 RS803 RS804 RS805 RS806 RS807 UNITS
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
8.0
250
1.0
10
200
-65 +150
-65 +150
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
µA
µA
C
C
170
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