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UF200

产品描述2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小68KB,共2页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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UF200概述

2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15

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UF200
THRU
UF2010
2.0 AMP HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS
VOLTAGE RANGE
50 to 1000 Volts
FEATURES
* Low forward voltage drop
* High current capability
* High reliability
* High surge current capability
* High speed switching
* Both normal and Pb free product are available:
* Normal:80~95%Sn,5~20%Pb
* Pb free:99 Sn above can meet Rohs enviroment substance
directive request
CURRENT
2.0 Amperes
DO-15
.140(3.6)
.104(2.6)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
MECHANICAL DATA
* Case: Molded plastic
* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
* Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,
method 208 guranteed
* Polarity: Color band denotes cathode end
* Mounting position: Any
* Weight: 0.40 grams
.300(7.6)
.230(5.8)
.034(.9)
.028(.7)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375"(9.5mm) Lead Length at Ta=55 C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 2.0A
Maximum DC Reverse Current
Tj=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Tj=100 C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range Tj, TSTG
NOTES:
UF200
UF201
UF202
UF204
UF206
UF208
UF2010
UNITS
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
2.0
60
1.1
5
500
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
uA
uA
nS
pF
C
1.0
1.7
50
35
-55 +150
75
1. Reverse Recovery Time test condition: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A
2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
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