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GBU10A

产品描述10 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小34KB,共2页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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GBU10A概述

10 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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GBU10/15/25 SERIES
GLASS PASSIVATED
BRIDGE RECTIFIERS
FEATURES
Surge overload rating -220~350 amperes peak
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction utilizing
REVERSE VOLTAGE
FORWARD CURRENT
GBU
.874(22.2)
.860(21.8)
- 50
to
1000Volts
- 10/15/25
Amperes
.139(3.53)
.133(3.37)
3.2*3.2
CHAMFER
molded plastic technique
Plastic material has U/L
.752(19.1)
.720(18.3)
.073(1.85)
.057(1.45)
.154(3.9)
.146(3.7)
.232(5.9)
.224(5.7)
flammability classification 94V-0
Mounting postition:Any
.720(18.29)
.680(17.27)
.047(1.2)
.035(0.9)
.100(2.54)
.085(2.16)
.080(2.03)
.065(1.65)
.106(2.7)
.091(2.3)
.022(.56)
.210 .210 .210
.018(.46)
.190 .190 .190
(5.3) (5.3) (5.3)
(4.8) (4.8) (4.8)
Dimensions in inches and (milimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
GBU
10A
15005
25005
50
30
50
GBU
10B
1501
2501
100
70
100
10
GBU
10
I
FSM
V
F
I
R
I
2
t
C
J
R
θJC
T
J
T
STG
3.0
220
1.1
10.0
500
200
70
2.2
-55 to +150
-55 to +150
GBU
15
GBU
10D
1502
2502
200
140
200
GBU
10G
1504
2504
400
280
400
15
3.2
240
GBU
25
GBU
10J
1506
2506
600
420
600
GBU
10K
1508
2508
800
560
800
GBU
10M
1510
2510
1000
700
1000
25
4.2
350
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)
Rectified Current
@ T
C
=100℃ (without heatsink)
Peak Forward Surage Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at 5.0/7.5/12.5A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
I
2
t Rating for Fusing (t<8.3ms)
Typical Junction Capacitance Per Element (Note1)
Typical Thermal Resistance (Note2)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
@ T
J
=25℃
@ T
J
=125℃
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
UNIT
V
V
V
A
A
V
uA
A
2
s
pF
℃/W
NOTES: 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Device mounted on 100mm*100mm*1.6mm cu plate heatsink.
BGA封装的元器件布线策略
462204622146222...
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430我要飞 微控制器 MCU
编译前后不状态不一致
目前一个项目中,用了50%以上的LE,发现修改了一点后,编译两次结果,出现不同状况,之前可以运行的都过不去了……...
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