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GBU810

产品描述8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小144KB,共2页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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GBU810概述

8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

8 A, 1000 V, 硅, 桥式整流二极管

GBU810规格参数

参数名称属性值
端子数量4
元件数量4
最小击穿电压1000 V
最大平均输入电流8 A
加工封装描述ROHS COMPLIANT, 塑料, GBU, 4 PIN
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子涂层MATTE 锡
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构桥, 4 ELEMENTS
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型桥式整流二极管
相数1
最大重复峰值反向电压1000 V
最大非重复峰值正向电流200 A

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GBU8005
THRU
GBU810
SINGLE PHASE 8.0 AMP BRIDGE RECTIFIERS
VOLTAGE RANGE
50 to 1000 Volts
CURRENT
FEATURES
* Ideal for printed circuit board
* Low forward voltage
* Low leakage current
* Polarity: marked on body
* Mounting position: Any
* Both normal and Pb free product are available:
* Normal:80~95%Sn,5~20%Pb
* Pb free:99 Sn above can meet Rohs enviroment substance
directive request
.720(18.29)
.680(17.27)
.083(2.1)
.075(1.9)
.752(19.1)
.720(18.3)
.232(5.9)
.224(5.7)
(.874)22.2
(.860)21.8
.173(4.40)
.134(3.40)
8.0 Ampere
GBU
+
AC
.210 .210 .210
.190 .190 .190
(5.33) (5.33) (5.33)
(4.83) (4.83) (4.83)
.022(.56)
.018(.46)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375"(9.5mm) Lead Length at Tc=50 C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge Element at 4.0A D.C.
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Operating Temperature Range, Tj
Storage Temperature Range, TSTG
Ta=100 C
GBU8005 GBU801
GBU802
GBU804
GBU806
GBU808
GBU810
UNITS
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
8.0
200
1.1
10
500
-50 +150
-50 +150
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
uA
muA
C
C
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