电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

P6SMB220

产品描述600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小86KB,共3页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
下载文档 在线购买 全文预览

P6SMB220在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
P6SMB220 - - 点击查看 点击购买

P6SMB220概述

600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA

P6SMB220文档预览

下载PDF文档
P6SMB
SERIES
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
600 Watt Peak Power
Dimension
Dim
A
B
C
D
E
F
G
Millimeters
Min
4.06
3.30
1.95
0.125
5.21
----
2.13
0.76
Max
4.57
3.94
2.20
0.305
5.59
0.203
2.44
1.52
Inches
Min
0.160
0.130
0.077
0.006
0.205
----
0.084
0.030
Max
0.180
0.155
0.086
0.012
0.220
0.008
0.096
0.060
SMB (DO-214AA)
Specification
H
Type Number
(Uni)
P6SMB6.8
P6SMB6.8A
P6SMB7.5
P6SMB7.5A
P6SMB8.2
P6SMB8.2A
P6SMB9.1
P6SMB9.1A
P6SMB10
P6SMB10A
P6SMB11
P6SMB11A
P6SMB12
P6SMB12A
P6SMB13
P6SMB13A
P6SMB15
P6SMB15A
P6SMB16
P6SMB16A
P6SMB18
P6SMB18A
P6SMB20
P6SMB20A
(Bi)
P6SMB6.8C
P6SMB6.8CA
P6SMB7.5C
P6SMB7.5CA
P6SMB8.2C
P6SMB8.2CA
P6SMB9.1C
P6SMB9.1CA
P6SMB10C
P6SMB10CA
P6SMB11C
P6SMB11CA
P6SMB12C
P6SMB12CA
P6SMB13C
P6SMB13CA
P6SMB15C
P6SMB15CA
P6SMB16C
P6SMB16CA
P6SMB18C
P6SMB18CA
P6SMB20C
P6SMB20CA
Marking
(Uni)
6V8
6V8A
7V5
7V5A
8V2
8V2A
9V1
9V1A
10
10A
11
11A
12
12A
13
13A
15
15A
16
16A
18
18A
20
20A
(Bi)
6V8C
6V8CA
7V5C
7V5CA
8V2C
8V2CA
9V1C
9V1CA
10C
10CA
11C
11CA
12C
12CA
13C
13CA
15C
15CA
16C
16CA
18C
18CA
20C
20CA
Reverse Breakdown Breakdown
Stand-Off Voltage
Voltage
Voltage
Min. @I
T
Max. @ I
T
V
RMW
(V)
5.50
5.80
6.05
6.40
6.63
7.02
7.37
7.78
8.10
8.55
8.92
9.40
9.72
10.2
10.5
11.1
12.1
12.8
12.9
13.6
14.5
15.3
16.2
17.1
V
BR MIN
(V)
6.12
6.45
6.75
7.13
7.38
7.79
8.19
8.65
9.00
9.50
9.90
10.5
10.8
11.4
11.7
12.4
13.5
14.3
14.4
15.2
16.2
17.1
18.0
19.0
V
BR MAX
(V)
7.48
7.14
8.25
7.88
9.02
8.61
10.0
9.55
11.0
10.5
12.1
11.6
13.2
12.6
14.3
13.7
16.5
15.8
17.6
16.8
19.8
18.9
22.0
21.0
Test
Current
I
T
(mA)
10.0
10.0
10.0
10.0
10.0
10.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
Maximum
Peak
Reverse
Clamping
Pulse Leakage
Voltage
Current @V
RMW
@I
PP
V
C
(V)
10.8
10.5
11.7
11.3
12.5
12.1
13.8
13.4
15.0
14.5
16.2
15.6
17.3
16.7
19.0
18.2
22.0
21.2
23.5
22.5
26.5
25.2
29.1
27.7
I
PP
(A)
55.6
57.1
51.3
53.1
48.0
49.6
43.5
44.8
40.0
41.4
37.0
38.5
34.7
35.9
31.6
33.0
27.3
28.3
25.5
26.7
22.6
23.8
20.6
21.7
I
R
(uA)
1000.0
1000.0
500.0
500.0
200.0
200.0
50.0
50.0
10.0
10.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
For Bi-directional type having VRWM of 10 Volts and less, the IR limit is double
关于LINT-1的综合问题。
link以后,check_design的warning是:Warning: In design 'shift', cell 'B_4' does not drive any nets. (LINT-1)Warning: In design 'shift', cell 'B_5' does not drive any nets. (LINT-1)W ......
eeleader FPGA/CPLD
求实现vxworks+tonado下监控Cpu情况,内存情况的的代码和思路,万分感谢了!!!!
如题,有人说用spy实现,有人能提供伪代码吗??谢谢了...
hyz5122 实时操作系统RTOS
当CMOS遇上TTL
本帖最后由 fish001 于 2018-6-26 17:51 编辑 当COMS遇上TTL,现阶段只有纠结,因为对两者之间的联系?区别?都没有理性的认识,为此今日在此做一小小比较。 TTL:Transistor—Tran ......
fish001 模拟与混合信号
串口到光纤解决远距离传输中的应用的方案
RS485网络与光纤网络的问题概述以及解决方案  一、 传统485通信存在问题   配网自动化设备大多暴露在室外,环境恶劣,因此必须能够抵御高温、低温、日晒、雨淋、风雪、冰雹和雷电等自然环境 ......
totopper 工业自动化与控制
手机辐射对人体健康是否有危害
看到一篇帖子: 通信院教师:破手机辐射危害健康之流言 但是其中有回帖: 好吧,这种东西是不容易证明到底是否有害的,我只想说一下我见到的事实,我的一些同事包括同事的同事做RF测试和 ......
wangfuchong 聊聊、笑笑、闹闹
STM32数据段与bss段问题
MDK编译环境,目标stm32f103,一般程序编译出来text(ro)段,data段,bss段等都在hex或者bin文件之中,烧写到目标的flash中,可是data段与bss(zi)段是怎么加载到SRAM(内存)中的,我没发现 ......
geyang1111 stm32/stm8
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved