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UF4007

产品描述1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小98KB,共2页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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UF4007概述

1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 1000 V, 硅, 信号二极管, DO-41

UF4007规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述塑料 PACKAGE-2
状态ACTIVE
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层锡 铅
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
反向恢复时间最大0.0750 us
最大重复峰值反向电压1000 V
最大平均正向电流1 A

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UF4001
THRU
UF4007
1.0 AMP HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS
VOLTAGE RANGE
50 to 1000 Volts
CURRENT
FEATURES
* Low forward voltage drop
* High current capability
* High reliability
* High surge current capability
* High speed switching
1.0 Ampere
DO-41
.107(2.7)
.080(2.0)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
MECHANICAL DATA
* Case: Molded plastic
* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
* Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,
method 208 guranteed
* Polarity: Color band denotes cathode end
* Mounting position: Any
* Weight: 0.34 grams
* Both normal and Pb free product are available:
* Normal:80~95%Sn,5~20%Pb
* Pb free:99 Sn above can meet Rohs enviroment substance
directive request
.205(5.2)
.166(4.2)
.031(.8)
.023(.6)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375"(9.5mm) Lead Length at Ta=50 C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Ta=100 C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range Tj, TSTG
NOTES:
UF4001
UF4002
UF4003
UF4004
UF4005
UF4006
UF4007
UNITS
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
30
1.3
5.0
150
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
uA
uA
nS
pF
C
1.0
1.70
50
20
-65 +150
70
1. Reverse Recovery Time test condition: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A
2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
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