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ER3A

产品描述3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小213KB,共2页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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ER3A概述

3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB

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ER3A
3.0
AMP SUPER FAST RECTIFIERS
THRU
ER3J
VOLTAGE RANGE
50 to 600 Volts
FEATURES
* Ideal for surface mount applications
* Easy pick and place
* Built-in strain relief
* High surge current capability
* Both normal and Pb free product are available:
* Normal:80~95%Sn,5~20%Pb
* Pb free:99 Sn above can meet Rohs enviroment substance
directive request
.124(3.15)
.108(2.75)
CURRENT
3.0
Ampere
DO-214AB(SMC)
.245(6.22)
.220(5.59)
.280(7.11)
.260(6.60)
.012(0.31)
.006(0.15)
.103(2.62)
.079(2.00)
.050(1.27)
.030(0.76)
.008
MAX.
(.203)
.320(8.13)
.305(7.75)
MECHANICAL DATA
* Case: Molded plastic
* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
* Metallurgically bonded construction
* Polarity: Color band denotes cathode end
* Mounting position: Any
* Weight: 0.21 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at
3.0A
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Ta=100 C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range Tj, TSTG
NOTES:
ER3A
50
35
50
ER3B
100
70
100
ER3C
150
105
150
ER3D
200
140
200
3.0
50
ER3E
300
210
300
ER3G
400
280
400
ER3J
600
420
600
UNITS
V
V
V
A
A
V
uA
uA
nS
pF
C
0.95
5.0
150
35
25
-65 +150
1.25
1.70
1. Reverse Recovery Time test condition: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A
2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
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