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MT25C12T1

产品描述Thyristor Module
文件大小164KB,共5页
制造商爱普特半导体(APTSEMI)
江苏爱普特半导体有限公司是由扬州扬杰电子科技股份有限公司投资控股的一家专业设计、制造和销售拥有自主知识产权的新型电力电子模块和半导体智能器件的高科技企业。产品包括:IGBT、MOSFET、FRED、晶闸管、整流等功率模块及其半导体器件,具备年产各类功率模块300万件的生产能力,是目前国内的电力电子功率模块生产基地之一。公司产品可广泛用于功率范围0.5KW~1MW的不同领域,包括变频器、电焊机、感应加热、不间断电源、变频空调、电动汽车、机车牵引、太阳能、风能发电、充电装置、智能电网、家用电器、医疗设备等等。
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MT25C12T1概述

Thyristor Module

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MT25C18T1
Thyristor Module
V
RRM
/ V
DRM
800 to 1800V
I
TAV
25A
Applications
Power Converters
Lighting Control
DC Motor Control and Drives
Heat and temperature control
Circuit
Features
International standard package
High Surge Capability
Glass passivated chip
Simple Mounting
Heat transfer through aluminum oxide DBC
ceramic isolated metal baseplate
UL recognized applied for file no. E360040
Module Type
TYPE
MT25C08T1
MT25C12T1
MT25C16T1
MT25C18T1
V
RRM
800V
1200V
1600V
1800V
V
RSM
900V
1300V
1700V
1900V
Maximum Ratings
Symbol
I
TAV
I
TSM
i
2
t
Visol
Tvj
Tstg
Mt
Ms
di/dt
dv/dt
a
Weight
To terminals(M5)
To heatsink(M6)
T
VJ
= T
VJM
, 2/3V
DRM
,I
G
=500mA
Tr<0.5us,tp>6us
T
J
= T
VJM
,2/3V
DRM
linear voltage rise
Maximum allowable acceleration
Module(Approximately)
Conditions
Sine 180 ;Tc=85℃
T
VJ
=45℃ t=10ms, sine
T
VJ
=125℃ t=10ms, sine
T
VJ
=45℃ t=10ms, sine
T
VJ
=125℃ t=10ms, sine
a.c.50HZ;r.m.s.;1min
o
Values
25
550
480
1500
1150
3000
-40 to 125
-40 to 125
3±15%
5±15%
150
1000
50
100
Units
A
A
A2s
V
Nm
Nm
A/us
V/us
m/s
2
g
Thermal Characteristics
Symbol
Rth(j-c)
Rth(c-s)
Document Number: S-M0033
Rev.1.0, May.31, 2013
Conditions
Cont.;per thyristor / per module
per thyristor / per module
1
Values
0.9/0.45
0.2/0.1
Units
℃/W
℃/W
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