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MBR30100CK

产品描述Schottky Barrier Rectifiers
文件大小276KB,共4页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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MBR30100CK概述

Schottky Barrier Rectifiers

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MBR30100CK
Schottky Barrier Rectifiers
Productor Character
Half Bridge Rectified、Common Cathode Structure.
Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.
Beautiful High Temperature Character.
Have Over Voltage protect loop,high reliability.
RoHs Product.
TO-262-3L
1 2 3
■Primary
Use
Low Voltage High Frequency Switching Power Supply.
Low Voltage High Frequency Invers Circuit.
Low Voltage Continued Circuit and Protection Circuit.
■Summarize
MBR30100CK
Device optimized for ultra-low forward
voltage drop to maximize efficiency in Power Supply
PIN3
PIN2
PIN1
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Data
Unit
Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage
*Average Rectified Forward Current (Rated VR-20Khz Square
Wave) - 50% duty cycle
Typical Thermal Resistance
Package =TO-262-3L
(per leg)
VRRM
IFAV
R
θJc
100
30
2
V
A
℃/W
A
V/uS
A
Forward Peak Surge Current(Rated Load 8.3 Half Mssine
Wave-According to JEDEC Method)
Maximum Rate of Voltage Change ( at Rated VR )
Peak Repetitive Reverse Surge Current (2uS-1Khz)
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
IFSM
dv/dt
IRRM
TJ
TSTG
200
10000
0.5
-40- +150
-40- +150
Electricity Character
Item
IR
VF
Test Condition
TJ =25
VR=VRRM
TJ =125
TJ =25
IF=15A
TJ =125
IF=15A
*IF(AV)= 15A×2
TYP.
MAX.
Unit
0.78
0.1
1
0.9
0.7
mA
mA
V
V
REV:1.02
2015/1/12
1
****项目方案与设计导航*****
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