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MBR0530

产品描述0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小91KB,共3页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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MBR0530概述

0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE

0.5 A, 30 V, 硅, 信号二极管

MBR0530规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述CASE 425-04, 2 PIN
状态DISCONTINUED
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层锡 铅
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
工艺SCHOTTKY
结构单一的
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
最大重复峰值反向电压30 V
最大平均正向电流0.5000 A

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MBR0530
SURFACE MOUNT SCHOTTKY POWER RECTIFIER
PINNING
PIN
1
2
1
DESCRIPTION
Cathode
Anode
2
SE
Top View
Marking Code: "SE"
Simplified outline SOD-123 and symbol
Absolute Maximum Ratings (T
a
= 25
O
C)
Parameter
Repetitive Peak Reverse Voltage
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Average Forward Rectified Current
Peak Forward Surge Current (8.3 ms Single Half Sine-wave)
Thermal Resistance Junction to Lead
Thermal Resistance Junction to Ambient
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
1)
1)
Symbol
V
RRM
V
RSM
V
R
I
F(AV)
I
FSM
R
θJL
R
θJA
T
J
T
stg
Value
30
30
30
0.5
5.5
150
206
- 65 to + 125
- 65 to + 125
Unit
V
V
V
A
A
O
C/W
C/W
O
O
C
C
O
1 inch square pad size (1 X 0.5 inch for each lead) on FR4 board
Electrical Characteristics at T
a
= 25
O
C
Parameter
Forward Voltage
at I
F
= 100 mA
at I
F
= 500 mA
Reverse Current
at V
R
= 30 V
at V
R
= 15 V
Symbol
V
F
Max.
0.375
0.5
130
20
Unit
V
I
R
µA
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