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MMBT3904

产品描述200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小89KB,共3页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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MMBT3904概述

200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

200 mA, 40 V, NPN, 硅, 小信号晶体管

MMBT3904规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性NPN
最大导通时间70 ns
最大关断时间250 ns
最大集电极电流0.2000 A
最大集电极发射极电压40 V
加工封装描述ROHS COMPLIANT, 塑料 PACKAGE-3
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层MATTE 锡
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
元件数量1
晶体管元件材料
最大环境功耗0.2000 W
晶体管类型通用小信号
最小直流放大倍数30
额定交叉频率300 MHz

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MMBT3904
NPN Silicon General Purpose Transistor
for switching and amplifier applications.
SOT-23 Plastic Package
Absolute Maximum Ratings (T
a
= 25
O
C)
Parameter
Collector Base Voltage
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
T
stg
Value
60
40
6
200
350
150
- 55 to + 150
Unit
V
V
V
mA
mW
O
C
C
O
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