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BA159

产品描述1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小171KB,共2页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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BA159概述

1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 1000 V, 硅, 信号二极管, DO-41

BA159规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述塑料 PACKAGE-2
状态ACTIVE
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层锡 铅
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
反向恢复时间最大0.5000 us
最大重复峰值反向电压1000 V
最大平均正向电流1 A

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BA157
THRU
BA159
1.0 AMP FAST RECOVERY RECTIFIERS
VOLTAGE RANGE
400
to
1000
Volts
FEATURES
* Low forward voltage drop
* Low leakage current
* High reliability
* High current capability
CURRENT
1.0 Ampere
DO-41
.107(2.7)
.080(2.0)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
MECHANICAL DATA
* Case: Molded plastic
* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
method 208 guranteed
* Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,
method 208 guranteed
* Polarity: Color band denotes cathode end
* Mounting position: Any
* Weight: 0.31grams
* Both normal and Pb free product are available:
* Normal:80~95%Sn,5~20%Pb
* Pb free:99 Sn above can meet Rohs enviroment substance
directive request
.205(5.2)
.166(4.2)
.031(.8)
.023(.6)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375"(9.5mm) Lead Length at Ta=75 C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Ta=100 C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range Tj, TSTG
NOTES:
BA157
400
280
400
BA158
600
420
600
1.0
36
1.3
5.0
50
150
15
-65 +150
BA159
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
A
V
uA
250
uA
nS
pF
C
1. Reverse Recovery Time test condition:IF=1.0A, VR=30V.
2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
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