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GBU1510: 产品描述3.2 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小337KB，共2页; 制造商南晶电子(DGNJDZ)

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GBU1510概述

3.2 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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GBU15005

THRU

GBU1510

15.0 AMPS GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS

VOLTAGE RANGE

FEATURES

* Ideal for printed circuit board

* Low forward voltage

* Low leakage current

* Polarity: marked on body

* Mounting position: Any

* Lead Free Finish/RoHS Compliant

.224(5.7)

.209(5.3)

50 to 1000 Volts

CURRENT

15.0 Ampere

GBU

.880

(22.3)

.860

(21.8)

.157(4.0)

.126(3.2)

.740(18.8)

.720(18.3)

.720(18.29)

.680(17.27)

.210 .210 .210

.190 .190 .190

(5.33) (5.33) (5.33)

(4.83) (4.83) (4.83)

.022(.56)

.020(.46)

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.

Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

TYPE NUMBER

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified Current

.375"(9.5mm) Lead Length at Tc=50 C

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

Maximum Forward Voltage Drop per Bridge Element at

7.5A

D.C.

Maximum DC Reverse Current

Tj=25 C

at Rated DC Blocking Voltage

Storage Temperature Range, TSTG

Tj=125 C

GBU15005 GBU1501 GBU1502 GBU1504 GBU1506 GBU1508 GBU1510

UNITS

100

200

140

200

400

280

400

15.0

200

1.1

500

-55 +150

600

420

600

800

560

800

1000

700

1000

Version 1.2

2014/2/20

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