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MB4M

产品描述0.5 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小152KB,共2页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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MB4M概述

0.5 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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MB1M
THRU
MB10M
MINI GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIERS
VOLTAGE RANGE
50
to
1000
Volts
CURRENT
0.8 Ampere
MB-1M
FEATURES
* Ideal for printed circuit board
* Reliable low cost construction utilizing molded
plastic technique
* High surge current capability
* Polarity: marked on body
* Mounting position: Any
* Weight: 0.22 grams
* Both normal and Pb free product are available:
* Normal:80~95%Sn,5~20%Pb
* Pb free:99 Sn above can meet Rohs enviroment substance
directive request
+
.158(4.0)
.142(3.6)
~
~
.232(5.9)
.201(5.1)
.193(4.9)
.177(4.5)
.106(2.7)
.091(2.3)
.020
(0.5)
.165(4.2)
.138(3.5)
.106(2.7)
.090(2.3)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
(See Fig. 1)
on glass-epoxy P.C.B(Note 2)
on aluminum substrate(Note 3)
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge Element at 0.4A D.C.
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance(Note 1)
Typical Thermal Resistance(Note 3)
Typical Thermal Resistance(Note 2)
Operating Temperature Range, Tj
Storage Temperature Range, TSTG
Ta=125 C
MB1M
MB2M
MB3M
MB4M
MB
6
M
MB
8
M
MB10M
UNITS
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
0.6
0.8
30
1.0
5
500
13
70
20
-65 +125
-65 +150
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
uA
uA
pF
C/W
C/W
C
C
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