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MB10S: 产品描述BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小88KB，共2页; 制造商南晶电子(DGNJDZ)

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MB10S概述

BRIDGE RECTIFIER DIODE

桥式整流二极管

MB10S规格参数

参数名称	属性值
状态	ACTIVE
二极管类型	桥式整流二极管

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MB1S

THRU

MB10S

MINI SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS

VOLTAGE RANGE

100 to

1000

Volts

CURRENT

1.0

Ampere

SMD/MB-S

FEATURES

* Ideal for printed circuit board

* Reliable low cost construction utilizing molded

plastic technique

* High surge current capability

* Polarity: marked on body

* Mounting position: Any

* Weight: 1.0 grams

* Both normal and Pb free product are available:

* Normal:80~95%Sn,5~20%Pb

* Pb free:99 Sn above can meet Rohs enviroment substance

directive request

.158(4.0)

.142(3.6)

.008(.2)

.275(7)MAX

.043(1.1)

.027(0.7)

.106(2.7)

.090(2.3)

.031(.8)

.019(.5)

.193(4.9)

.177(4.5)

.106(2.7)

.090(2.3)

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.

Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

TYPE NUMBER

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified Current

.375"(9.5mm) Lead Length at Ta=40 C

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

Maximum Forward Voltage Drop per Bridge Element at 1.

A D.C.

Maximum DC Reverse Current

Ta=25 C

at Rated DC Blocking Voltage

Operating Temperature Range, Tj

Storage Temperature Range, TSTG

Ta=125 C

MB1S

MB2S

MB4S

MB6S

MB8S

MB10S

UNITS

100

700

100

200

140

200

400

280

400

1.0

600

420

600

800

560

800

1000

700

1000

500

-65 +150

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