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1N914

产品描述0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小84KB,共1页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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1N914概述

0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

0.2 A, 100 V, 硅, 信号二极管, DO-35

1N914规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述DO-35, 2 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层MATTE 锡
端子位置AXIAL
包装材料UNSPECIFIED
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
最大功耗极限0.5000 W
二极管类型信号二极管
反向恢复时间最大0.0040 us
最大重复峰值反向电压100 V
最大平均正向电流0.2000 A

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1N914, 1N914A, 1N914B
Silicon Epitaxial Planar Switching Diode
Features
• Fast switching speed
• High reliability
Max. 0.5
Max. 1.9
Min. 27.5
Black
Cathode Band
Black
Part No.
Black
"ST" Brand
XXX
ST
Max. 3.9
Min. 27.5
Glass Case DO-35
Dimensions in mm
Absolute Maximum Ratings (T
a
= 25
O
C)
Parameter
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
1N914
1N914A / B
Forward Continuous Current
1N914
1N914A / B
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
at t = 1 s
1N914
at t = 1 µs
1N914A / B at t = 1 µs
Power Dissipation
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
V
RM
V
R
I
F(AV)
I
FM
I
FSM
P
tot
T
j
,T
stg
Value
100
75
75
200
150
300
1
1
4
500
- 65 to + 175
Unit
V
V
mA
mA
A
mW
O
C
Characteristics at T
a
= 25
O
C
Parameter
Forward Voltage
at I
F
= 5 mA
at I
F
= 100 mA
at I
F
= 10 mA
at I
F
= 20 mA
Reverse Current
at V
R
= 20 V
at V
R
= 75 V
at V
R
= 20 V, T
j
= 150
O
C
Diode Capacitance
at V
R
= 0, f = 1 MHz
Reverse Recovery Time
at I
F
= 10 mA to I
R
= 1 mA, V
R
= 6 V, R
L
= 100
1N914B
1N914B
1N914
1N914A
Symbol
Min.
0.62
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
0.72
1
1
1
25
5
50
4
4
Unit
V
F
V
I
R
nA
µA
µA
pF
ns
C
j
t
rr
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