Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> 1N5234B

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1N5234B: 产品描述6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小78KB，共3页; 制造商南晶电子(DGNJDZ)

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1N5234B概述

6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

6.2 V, 0.5 W, 硅, 单向电压稳压二极管, DO-35

1N5234B规格参数

参数名称	属性值
端子数量	2
元件数量	1
额定工作电压	6.2 V
加工封装描述	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
包装形状	圆
包装尺寸	LONG FORM
端子形式	线
端子涂层	锡银
端子位置	AXIAL
包装材料	UNSPECIFIED
工艺	ZENER
结构	单一的
壳体连接	隔离
二极管元件材料	硅
最大功耗极限	0.5000 W
极性	单向
二极管类型	稳压二极管
工作测试电流	20 mA
最大总参考电压	5 %

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1N5220...1N5267

Silicon Planar Zener Diodes

Standard Zener voltage tolerance is ± 20%.

Add suffix "A" for ± 10% Tolerance, suffix

"B" for ± 5% tolerance, suffix "C" for ± 2%

tolerance, Other tolerance, non standard

and higher Zener voltages are upon request.

Max. 0.5

Max. 0.45

Max. 1.9

Min. 27.5

Max. 1.9

Min. 27.5

Black

Cathode Band

Black

Part No.

Black

Cathode Band

XXX

Max. 3.9

Black

Part No.

XXX

Max. 2.9

Min. 27.5

Glass Case DO-35

Dimensions in mm

Glass Case DO-34

Dimensions in mm

Absolute Maximum Ratings (T

= 25

Parameter

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

Symbol

tot

stg

Value

500

Unit

200

- 65 to + 200

Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case.

Characteristics at T

= 25

Parameter

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Forward Voltage

at I

= 200 mA

Symbol

thA

Max.

0.3

1.1

Unit

K/mW

Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case.

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