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1N4757A

产品描述51 V, 1.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小124KB,共4页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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1N4757A概述

51 V, 1.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41

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1N4727A...1N4761A
Silicon Planar Power Zener Diodes
for use in stabilizing and clipping circuits with high
power rating.
Max. 0.7
Max. 2.8
Min. 25.4
Black
Cathode Band
Black
Part No.
XXX
Max. 4.2
Min. 25.4
Glass Case DO-41
Dimensions in mm
Absolute Maximum Ratings (T
a
= 25
O
C)
Parameter
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
1)
Symbol
P
tot
T
j
T
stg
Value
1
1)
Unit
W
O
200
- 65 to + 200
C
C
O
Valid provided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature.
Characteristics at T
a
= 25
O
C
Parameter
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Forward Voltage
at I
F
= 200 mA
1)
Symbol
R
thA
V
F
Max.
170
1)
1.2
Unit
K/W
V
Valid provided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature.
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