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1N4756A

产品描述47 V, 1.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小124KB,共4页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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1N4756A概述

47 V, 1.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41

47 V, 1.3 W, 硅, 单向电压稳压二极管, DO-41

1N4756A规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
额定工作电压47 V
加工封装描述HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层锡 银
端子位置AXIAL
包装材料UNSPECIFIED
工艺ZENER
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
最大功耗极限1.3 W
极性单向
二极管类型稳压二极管
工作测试电流5.5 mA
最大总参考电压5 %

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1N4727A...1N4761A
Silicon Planar Power Zener Diodes
for use in stabilizing and clipping circuits with high
power rating.
Max. 0.7
Max. 2.8
Min. 25.4
Black
Cathode Band
Black
Part No.
XXX
Max. 4.2
Min. 25.4
Glass Case DO-41
Dimensions in mm
Absolute Maximum Ratings (T
a
= 25
O
C)
Parameter
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
1)
Symbol
P
tot
T
j
T
stg
Value
1
1)
Unit
W
O
200
- 65 to + 200
C
C
O
Valid provided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature.
Characteristics at T
a
= 25
O
C
Parameter
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Forward Voltage
at I
F
= 200 mA
1)
Symbol
R
thA
V
F
Max.
170
1)
1.2
Unit
K/W
V
Valid provided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature.
收个EZ430-chronos433~~~~~~
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