Page Mode DRAM, 256KX9, 120ns, MOS
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Objectid | 1436454162 |
| 包装说明 | , SIP30,.2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 120 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 2359296 bit |
| 内存集成电路类型 | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度 | 9 |
| 端子数量 | 30 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256KX9 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码 | SIP30,.2 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 256 |
| 座面最大高度 | 16.51 mm |
| 最大压摆率 | 0.675 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | SINGLE |
| KMM49256-12 | KMM49256-15 | |
|---|---|---|
| 描述 | Page Mode DRAM, 256KX9, 120ns, MOS | Page Mode DRAM, 256KX9, 150ns, MOS |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| Objectid | 1436454162 | 1436454168 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 120 ns | 150 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 2359296 bit | 2359296 bit |
| 内存集成电路类型 | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度 | 9 | 9 |
| 端子数量 | 30 | 30 |
| 字数 | 262144 words | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | 256000 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 256KX9 | 256KX9 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码 | SIP30,.2 | SIP30,.2 |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 256 | 256 |
| 座面最大高度 | 16.51 mm | 16.51 mm |
| 最大压摆率 | 0.675 mA | 0.585 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | MOS | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
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