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PJSD05_R2_00001

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小132KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJSD05_R2_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

PJSD05_R2_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1361510995
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最小击穿电压6 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
最大非重复峰值反向功率耗散400 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
参考标准IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压5 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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PJSD05 SERIES
400W LOW CLAMPING VOLTAGE SINGLE TVS FOR
PROTECTION
This TVS/Zener Series has been designed to Protect Sensitive Equipment against
ESD and to prevent Latch-Up events in very sensitive CMOS circuitry operating at
5V, 12V, 15V and 24Vdc .These devices come in an industry standard SOD123
package making them suitable for Portable/Computing Electronics, where the board
space is a premium.
SPECIFICATION FEATURES
400W Power Dissipation (8/20µs Waveform)
Very Low Leakage Current
IEC61000-4-2 ESD 15kV air, 8kV Contact Compliance
SOD123 Package
Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
K
A
APPLICATIONS
Personal Digital Assistant (PDA)
Digital Cameras
Portable Instrumentation
Mobile Phones and Accessories
Desktops, Laptops
SOD123
SOD123
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak Pulse Power (8/20µs Waveform)
ESD Voltage (HBM)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
P
pp
V
ESD
TJ
T
stg
Value
400
25
-55 to +125
-55 to +150
Units
W
kV
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj = 25°C
PJSD05 Marking T1S
Parameter
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage (8/20µs)
Clamping Voltage (820µs)
Off State Junction Capacitance
Off State Junction Capacitance
Symbol
V
WRM
V
BR
I
R
V
c
V
c
Cj
Cj
I
BR
= 1 mA
V
R
= 5V
I pp = 5A
I pp = 24A
0 Vdc Bias f = 1MHz
5 Vdc Bias f = 1MHz
Conditions
Min
Typical
Max
5
Units
V
V
6.0
20
7.5
16
550
235
µA
V
V
pF
pF
August 11,2015­REV.06
Page1
www.panjit.com
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