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SBM1060L

产品描述Product Status:Active, Type(V):Standard, VRRM Max.(A):60, IF(A):10, IFSM(V):150, VF Max.(A):0.57, @IF(µA):10, IR Max.(V):220, @VR:60
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小244KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SBM1060L概述

Product Status:Active, Type(V):Standard, VRRM Max.(A):60, IF(A):10, IFSM(V):150, VF Max.(A):0.57, @IF(µA):10, IR Max.(V):220, @VR:60

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PSBM1060L
ULTRA LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
Voltage
Features
Ultra low forward voltage drop, low power loss
High efficiency operation
Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.
60 V
Current
10 A
Mechanical Data
Case: Molded plastic, TO-220AC
Terminals: Axial leads,solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight: 0.0067 ounces, 1.89 grams
Marking: Part number
Maximum Ratings
(T
A
=25 C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum rms voltage
Storage temperature range
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current : 8.3ms single half sine-
wave superimposed on rated load
Typical junction capacitance (V
R
=4V, f=1MHz)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
(Note 1)
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F(AV)
I
FSM
C
J
R
JC
T
J
T
STG
LIMIT
60
42
60
10
150
480
3.5
-55 to +150
-55 to +150
o
o
UNIT
V
V
V
A
A
pF
C/W
o
o
C
C
Note : 1. The Device mounted on a infinite heatsink , then measured the center of the marking side.
October 14,2014-REV.00
Page 1
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