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SBT20100LFCT

产品描述ULTRA LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
文件大小103KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SBT20100LFCT概述

ULTRA LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

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SBT20100LFCT
ULTRA LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Ultra low forward voltage drop, low power loss
0.606(15.4)
100 Volt
CURRENT
20 Ampere
0.100(2.55)
0.112(2.85)
0.272(6.9)
0.134(3.4)
0.118(3.0)
0.248(6.3)
0.406(10.3)
0.381(9.7)
0.189(4.8)
0.165(4.2)
0.130(3.3)
0.114(2.9)
• High efficiency operation
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
0.583(14.8)
0.128(3.25)
0.543(13.8)
MECHANICAL DATA
Case : ITO-220AB, Plastic
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Weight : 0.056 ounces, 1.6 grams.
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.028(0.7)
0.019(0.5)
0.100(2.55)
0.177(4.5)
0.137(3.5)
0.512(13.0)
0.114(2.9)
0.098(2.5)
0.100(2.55)
0.027(0.67)
0.022(0.57)
MAXIMUM RATINGS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum rms voltage
Maximum dc blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current : 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
(Note 1)
per device
per diode
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
R
I
I
F(AV)
VALUE
100
70
100
20
10
150
7
-55 to + 150
-55 to + 150
MIN.
UNIT
V
V
V
A
A
O
FSM
R
ΘJC
T
J
T
STG
C/ W
o
C
C
o
Note : 1. Device mounted on a infinite heatsink.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Breakdown voltage per diode
SYMBOL
V
BR
TEST CONDITIONS
I
R
=0.5mA
I
F
=1A
I
F
=5A
I
F
=10A
I
F
=1A
I
F
=5A
V
R
=80V
Reverse current per diode
I
R
MIN.
100
-
-
-
-
-
-
-
-
TYP.
-
0.4
0.56
0.7
0.30
0.52
5
-
5
MAX.
-
-
-
0.75
-
-
-
60
-
UNIT
V
V
V
μA
μA
mA
T
J
=25
o
C
T
J
=25
o
C
T
J
=125
o
C
T
J
=25
o
C
T
J
=25
o
C
T
J
=125
o
C
Instantaneous forward voltage per diode
V
F
V
R
=100V
August 20,2014-REV.00
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