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SBT10120LCT

产品描述ProductStatus:Active, VRRM Max.(A):120, IF(A):10, IFSM(V):80, VF Max.(A):0.83, @IF(µA):5, IR Max.(V):20, @VR:120, Package:TO-220AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小171KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SBT10120LCT概述

ProductStatus:Active, VRRM Max.(A):120, IF(A):10, IFSM(V):80, VF Max.(A):0.83, @IF(µA):5, IR Max.(V):20, @VR:120, Package:TO-220AB

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PSBT10120LCT
ULTRA LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Voltage
Features
Ideal for automated placement
Ultra low forward voltage drop, low power loss
High efficiency operation
Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
0.624(15.87)
0.548(13.93)
120 V
Current
10 A
0.419(10.66)
0.387(9.85)
0.156(3.95)
0.147(3.75)
0.196(5.00)
0.163(4.16)
0.054(1.39)
0.045(1.15)
Low thermal resistance
Mechanical Data
Terminals: solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Approx. Weight: 0.067 ounces, 1.89 grams
Marking: Part number
0.100(2.54)
0.100(2.54)
0.038(0.96)
0.019(0.50)
0.177(4.5)
MAX.
Case: Molded plastic, TO-220AB
0.058(1.47)
0.042(1.07)
0.50(12.7)MIN.
0.115(2.92)
0.080(2.03)
0.025(0.65)MAX.
Maximum Ratings And Electrical Characteristics
(T
A
=25 C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum rms voltage
Maximum dc blocking voltage
Maximum average forward rectified current
per diode
per device
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F(AV)
LIMIT
120
84
120
5
10
80
3
-55 to +150
-55 to +150
o
o
0.146(3.7)
0.130(3.3)
UNIT
V
V
V
A
Peak forward surge current : 8.3ms single half sine-
wave superimposed on rated load per diode
Typical thermal resistance per diode
Operating junction temperature range
Storage temperature range
(Note 1)
I
FSM
R
θJC
T
J
T
STG
A
C/W
o
o
C
C
Note : 1. Device mounted on a infinite heatsink , then measured the center of the marking side.
May 5,2015-REV.00
Page 1
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