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SLD1121VS: 产品描述5mW Visible Laser Diode; 产品类别光电子/LED 光电; 文件大小41KB，共6页; 制造商SONY(索尼); 官网地址http://www.sony.co.jp

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SLD1121VS概述

5mW Visible Laser Diode

参数名称	属性值
厂商名称	SONY(索尼)
包装说明	M-274, 3 PIN
Reach Compliance Code	unknow
配置	SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
最大正向电压	2.2 V
安装特点	THROUGH HOLE MOUNT
功能数量	1
最高工作温度	50 °C
最低工作温度	-10 °C
光电设备类型	LASER DIODE
标称输出功率	3 mW
峰值波长	670 nm
形状	ROUND
尺寸	1 mm
表面贴装	NO
最大阈值电流	60 mA

关于STM32的SDRAM读写问题: SDRAM的容量为32MB，现在需要使用RGB接口的LCD，因此把前面8MB内存分配给LCD作为显存。那么，剩下的24MB内存是否可以作为大数据缓冲使用？频繁的对数据缓冲进行读写，是否会影响LCD的显示呢？...; ilovefengshulin stm32/stm8

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verilog能不能在一个时钟同时对一个寄存器取值，然后再修改这个寄存器？: 在一个always中，cnt每一个时钟上升沿都会有变化，比如加1某些时候，在时钟上升沿都要把cnt的某几位赋值给a。例如下边这样的代码，我在仿真的时候是不能正常工作的，后来试着把=改为=结果a的值也不正常。请教这种情况应该如何实现？谢谢always@(posedge clk)beginif(符合某条件1时)a = cnt[3:0];else if(符合某条件2时)a= cnt[4:1];cnt =...; littleshrimp FPGA/CPLD

了解TMS320VC5509A的存储器: [p=26, null, left][color=#333333][font=Arial][size=14px] TMS320VC5509A的程序存储区地址和数据存储区地址使用同一物理地址。总的片上存储器是320K bytes（128K 16位RAM和32K 16位ROM）。整个内存地址为16M bytes（包括可扩展的外部存储器地址），片上存储器包括64K bytes的DARAM、192K by...; Aguilera 微控制器 MCU

大家在手持设备设计中的电源管理是如何考虑的？: 如果选用手机中的锂电池对我们的MSP430供电，选什么方案即可以方便对锂电池充电，又可以在电池电压高低变化时不对MCU工作产生影响啊？...; 蓝雨夜微控制器 MCU

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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