Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> P4SMA110_R1_00001

文档预览

P4SMA110_R1_00001: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 89.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小209KB，共7页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档在线购买

详细参数全文预览

P4SMA110_R1_00001在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	P4SMA110_R1_00001	-	-	点击查看	点击购买

P4SMA110_R1_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 89.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

P4SMA110_R1_00001规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	121 V
最小击穿电压	99 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AC
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散	400 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
参考标准	IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压	89.2 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

P4SMA110_R1_00001文档预览

下载PDF文档

全文
预览

P4SMA SERIES

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 400 Watts

BREAK DOWN VOLTAGE

FEATURES

• Glass passivated junction

• Low inductance

• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability

Classification 94V-O

• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals

• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives

• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)

012(0

305)

006(0.152)

0.062(1.60)

0.047(1.20)

0.181(4.60)

0.157(4.00)

0.114(2.90)

0.098(2.50)

0.008(0.203)

0.002(0.051)

0.208(5.28)

0.188(4.80)

6.8 to 250 Volts

• For surface mounted applications in order to optimize board space

MECHANICAL DATA

• Case: JEDEC DO-214AC,Molded plastic over passivated junction.

• Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: Color band denotes cathode end

• Standard Packaging:12mm tape (EIA-481)

• Weight: 0.002 ounce, 0.064 gram

0.060(1.52)

0.030(0.76)

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types P4SMA6.8 thru types P4SMA250.

Electrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Rating

Peak Pulse Power Dissipation on T

= 25

C (Notes 1,2,5, Fig.1)

Peak Forward Surge Current per Fig.5 (Notes 3)

Peak Pulse Current on 10/1000μs waveform (Notes 1)Fig.2

Typical Thermal Resistance Junction to Air (Notes 2)

Operating Junction and Storage Temperature Range

Symbol

FSM

PPM

θJA

STG

Value

400

see Table 1

-55 to +150

Units

Watts

Amps

C/W

NOTES :

1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T

= 25

C per Fig. 2.

2. Mounted on 5mm

copper pads to each terminal.

3. 8.3ms single half sine-wave, or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.

4. Lead temperature at 75

C = T

5. Peak pulse power waveform is 10/1000

μs.

A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V

RWM

), which should be equal to or greater than the DC

or continuous peak operating voltage level.

November 22,2012-REV.06

PAGE . 1

推荐资源

編程王10TB代碼庫: 編程王10TB代碼庫 http://code.kingofcoders.com 10TB代碼Search engine http://search.kingofcoders.com...; catdud 嵌入式系统

【Altera SoC体验之旅】+菜鸟的开始: 虽然以前接触过一些FPGA的设计，但不过仅仅只是实现一些接口协议或者作为定制的FIFO而已。并没有接触过SOC所以能有机会拿到板子，在这里先的谢谢论坛咯。。。感觉论坛工作做得确实挺周 ......; 908508455a FPGA/CPLD

求助: 我现在急需一个“基于FPGA的数字钟设计”的毕业论文，实现的功能有时、分、秒的显示，准确计时，定时闹钟和时间复位，有文献综述和设计方案也可以。感激万分！...; 铃声响了 FPGA/CPLD

电路板设计中PCB铜箔厚度、走线宽度、电流的关系: 在PCB设计加工中，常用OZ（盎司）作为铜皮厚度的单位，1OZ铜厚的定义为1平方英寸面积内铜箔的重量为1盎，对应的物理厚度为35um。不同厚度不同宽度的铜箔的载流量见下表：铜皮厚度70um ......; zyldpcb PCB设计

用自己导出的SDK开发应用程序时出现问题: 我把自己导出的SDk安装后，在EVC中开发应用程序，新建工程后，到最后一步——单击finish后，程序就死了。请教高手，该如何解决？谢谢！...; kings185100 嵌入式系统

苹果又获48项新专利，iBike最为新颖: 苹果的专利技术总是会让人充满好奇，最近美国专利及商标局又公布了苹果已经获得的48项最新的专利，挑一些特别出色的，我们一睹为快。这些专利涵盖感应式充电和整合iPod的自行车设备等等，其 ......; wstt 创意市集

台积电Q2利润飙升60%，美国芯片工厂盈利

根据最新财报数据，得益于其在先进工艺领域的领先地位，台积电（TSMC）2025年第二季度利润表现极为亮眼，税后纯利润高达3982.7亿新台币，同比激增60%以上，净利润率更是达到了惊人的42.7%。更令人瞩目的是，台积电在美国的芯片工厂运营状况超预期，税后纯利润达到42.3亿新台币。尽管这一数字相对于公司总利润而言微不足道，但其象征意义深远，标志着台积电在美国市场的初步成功。台积电计划在美国...[详细]
SK 海力士：AI 内存未来 6 年市场规模年均增长 30%，定制 HBM 是趋势

8月11日消息，综合路透社和韩媒SEDaily、Hankyung报道，SK海力士HBM业务规划组织高管崔俊龙(ChoiJoon-yong)表示，整体AI内存市场在直到2030年的未来6年规模将实现30%年化增长率。崔俊龙表示，AI基础设施建设与HBM采购之间强相关；以亚马逊、微软、谷歌为代表的科技巨头接连上调AI基建支出，显示最终客户对AI的...[详细]
北京知识产权法院驳回英诺赛科的上诉，重申EPC在中国的GaN专利有效性

宜普电源转换公司（EPC）今日宣布，北京知识产权法院驳回了英诺赛科（苏州）科技有限公司（英诺赛科）提起的上诉，并重申EPC在中国的专利号为ZL201080015425.X、名称为“补偿栅极MISFET及其制造方法”（简称“补偿栅极专利”）的有效性。北京知识产权法院的这一最新裁决进一步增强了EPC宝贵的知识产权组合，并巩固了其作为增强型GaN半导体器件先驱的地位。EPC的两项涉及增强型GaN...[详细]
奥芯明：AI驱动半导体产业迎来“异构集成”新纪元，先进封装成破局关键

在10月29日至30日于深圳举办的第四届SEMI大湾区产业峰会上ASMPT集团半导体事业部副总裁，奥芯明半导体设备技术有限公司首席商务官、先进封装研发中心负责人薛晗宸先生在开幕式上发表了题为《AI时代对半导体应用及先进封装发展的推动》的演讲，从产业趋势、技术突破、解决方案及本土化实践四大维度，深入剖析了AI如何重构半导体生态，并指出异构集成（HI）将成为后摩尔时代的核心驱动力，为大湾区乃...[详细]
DigiKey 庆贺印度班加罗尔办事处正式启动

DigiKey印度全球能力中心将提供全球性的服务和支持全球领先的电子元器件和自动化产品分销商DigiKey日前隆重宣布，在班加罗尔正式启动其印度子公司Digi-KeyElectronics&AutomationTradingPrivateLimited，该公司将成为DigiKey的一个全球能力中心(GCC)，为全球客户提供服务和支持。这一举措彰显了DigiK...[详细]
将 TPU AI 芯片带到太空，谷歌启动 Project Suncatcher 研究计划

11月5日消息，谷歌美国当地时间4日宣布正式启动ProjectSuncatcher“太阳捕手”计划，这是谷歌内部继自动驾驶汽车、量子计算等后的又一个moonshots“登月”颠覆性风险创新项目。在这一研究计划的名下，谷歌正在探索发射搭载自研TPUAI芯片的人造卫星，在太空中构建可扩展的计算互联网络，充分利用远多于地球表面的空间太阳能。谷歌计划在2027年初与Plan...[详细]
栎新源与龙芯中科签署战略合作协议，国产超声波扫描显微镜全面应用龙芯底层产品

10月16日，深圳市栎新源科技有限公司与龙芯中科技术股份有限公司于2025湾区半导体产业生态博览会（下简称“湾芯展”）期间成功举办“战略合作协议签约仪式”，引起了产业届高度关注。左：栎新源总经理周烟林；右：龙芯中科副总裁杜安利本届湾芯展，栎新源发布了首款超声波扫描显微镜OAK-SAM001，该设备全面应用龙芯自主可控微处理器与Loongnix国产操作系统，代替了传统的Windo...[详细]
智算赋能，生态共荣——超智算人工智能产业生态大会在京启幕，共筑AI发展新范式

当前，算力已成为数字时代的核心生产力，是致胜未来的关键所在。面对产业升级的磅礴需求，如何打通产学研用的链条，加速前沿研究到商业价值的正向循环？答案，正孕育在北京石景山这片蓬勃发展的AI创新热土之中。2025年10月16日，以“智算驱动·万象更新”为主题的超智算人工智能产业生态大会在北京银保园金融文化交流中心盛大启幕。此次大会由中关村石景山园管委会石景山区科委指导，超智算(北京)科技有限公司主...[详细]
欧洲投资银行与意法半导体签署10亿欧元协议，助力欧洲提升竞争力与战略自主权

信贷额度将强化欧洲半导体产业，以支持符合欧盟目标的创新、可持续性与能效发展首期5亿欧元款项已签署，用于支持意法半导体在意大利和法国的研发加速与大规模芯片制造此次新协议是双方第九次合作，目前累计融资额达约42亿欧元欧洲投资银行（EIB）与意法半导体已签署5亿欧元融资协议，以提升欧洲竞争力与战略自主权。此举为EIB近期批准的10亿欧元信贷额度首期款项，受益方意法半导体是欧洲排名前...[详细]
纳芯微成功登陆香港联交所—— 以香港为全球化支点，开启从中国标杆到全球优选的新征

纳芯微成功登陆香港联交所——以香港为全球化支点，开启从中国标杆到全球优选的新征程2025年12月8日，纳芯微正式在香港联合交易所主板挂牌上市，成功构建“A+H”双资本平台，标志着公司全球化战略迈入全新阶段。纳芯微正式在香港联合交易所主板挂牌上市纳芯微将香港定位为海外总部，以此作为面向世界的战略枢纽，加速全球客户服务、供应链协同与生态建设，强化其在国际模拟芯片产业中的参与度...[详细]
英特尔与塔塔电子签署备忘录，探索实现印度所需芯片制造与封测本地化

12月9日消息，英特尔与塔塔电子印度孟买当地时间昨日签署了一份谅解备忘录。双方宣布建立战略联盟，在印度构建芯片和计算生态系统。双方计划基于塔塔电子即将投产的前端晶圆厂和后端OSAT工厂，探索在印度本地生产和封装面向印度市场的英特尔产品和在印AVP（先进封装）技术合作。而在终端设备方面，这两家巨头还计划探索在印度的消费和企业市场快速扩展定制化AIPC解决方案的机遇。...[详细]
巨霖科技孙家鑫：EDA行业只有第一没有第二

在半导体产业的卡脖子环节中，被誉为芯片之母的EDA工具长期被海外巨头垄断，EDA国产替代也因此成为近年来产业界的高频词汇。但巨霖科技创始人孙家鑫却提出了截然不同的观点：没有所谓的国产替代机会，只有解决客户前沿刚需的可能。这家以从芯片、封装到系统一站式EDA方案为核心竞争力的企业，正凭借主动创新的技术战略、清晰的产品布局和务实的商业逻辑，重塑国产EDA的竞争格局。国产ED...[详细]
报告称高昂 3nm 工艺成本拖累台积电美国业务，2025Q3 利润环比降幅 99%

11月18日消息，工商时报昨日（11月17日）发布博文，报道称台积电位于美国亚利桑那州的工厂正面临严峻的财务压力。数据显示，该工厂的利润呈断崖式下滑，2025年第2季度盈利42.32亿新台币（IT之家注：现汇率约合9.68亿元人民币），而在第3季度骤降至仅4100万新台币（现汇率约合938.1万元人民币），降幅达到99%。该媒体指出台积电赴美建厂，一方面...[详细]
消息称台积电在日JASM第二晶圆厂将改为3nm，总投资升至170亿美元

2月5日消息，日媒《读卖新闻》今晨报道称，台积电计划在今日正式向日本政府通知，计划将在日控股子公司JASM的第二晶圆厂从原定的主要生产6nm逻辑半导体改为3nm。制程工艺的升级也意味着投资规模的提升：该晶圆厂原定投资规模为122亿美元，调整后投资额预计增至170亿美元（现汇率约合1181.53亿元人民币）。报道指出，日本政府认为JASM第二晶圆厂转产3nm...[详细]
贸泽电子2025年引入超60家全球知名制造商，赋能客户多元选择

2026年2月3日–专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子(MouserElectronics)宣布2025年新增63家供应商，产品代理阵容持续扩大，为广大电子设计工程师与采购人员提供了更加多元化的选择。贸泽为客户提供各类先进产品，让设计人员轻松获得各项新技术，协助其加快产品上市速度。贸泽与其1,200多家制造商合作伙伴密切合作，让客户能轻松便捷地快速...[详细]

小广播

热搜元器件