IRF530N,IRF530N pdf中文资料,IRF530N引脚图,IRF530N电路-Datasheet-电子工程世界

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IRF530N: 文件大小808KB，共7页; 制造商台湾微碧(VBsemi); 官网地址http://www.vbsemi.tw/; VBsemi成立于2000年，是国内MOSFET最具竞争力之功率半导体组件制造厂。本公司已取得多项产品发明专利，并经ISO14001、QS9000、ISO9001认证。 VBsemi是台湾一家自行研发、生产、销售MOSFET自有品牌的公司。从组件设计、晶圆加工、封装、特性分析、测试全程作业以及客户服务，营销全球。本公司产品已被广泛应用于UPS、Power Inverter、CCFL、DC Fan、SMPS、Adapter、Lighting、Battery、DC-DC、LCD Monitor等领域。

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参考设计

下推式磁悬浮

基于运放构成的下推式磁悬浮，使用霍尔元件检测浮子运动方向，信号由运放放大提供给功率管组成的全桥，用以驱动电磁线圈，稳定浮子达到磁悬浮效果 ...

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