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ES29LV160DT-70RTGI

产品描述Flash, 1MX16, 70ns, PDSO48
产品类别存储    存储   
文件大小708KB,共54页
制造商优先(苏州)半导体
官网地址http://www.excel-semi.com/
标准
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ES29LV160DT-70RTGI概述

Flash, 1MX16, 70ns, PDSO48

ES29LV160DT-70RTGI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid104573649
包装说明TSSOP, TSSOP48,.8,20
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
备用内存宽度8
启动块TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PDSO-G48
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级3
部门数/规模1,2,1,31
端子数量48
字数1048576 words
字数代码1000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.00001 A
最大压摆率0.03 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
切换位YES
类型NOR TYPE

ES29LV160DT-70RTGI文档预览

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E S I
I
ES
Excel Semiconductor inc.
ES29LV160D
16Mbit(2M x 8/1M x 16)
CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
GENERAL FEATURES
• Single power supply operation
- 2.7V -3.6V for read, program and erase operations
• Minimum 100,000 program/erase cycles per sector
• 20 Year data retention at 125
o
C
SOFTWARE FEATURES
• Sector Structure
- 16Kbyte x 1, 8Kbyte x 2, 32Kbyte x 1 boot sectors
- 64Kbyte x 31 sectors
• Top or Bottom boot block
- ES29LV160DT for Top boot block device
- ES29LV160DB for Bottom boot block device
• Package Options
- 48-pin TSOP
- 48-ball FBGA ( 6 x 8 mm )
- Pb-free packages
- All Pb-free products are RoHS-Compliant
• Low Vcc write inhibit
• Manufactured on 0.18um process technology
• Compatible with JEDEC standards
- Pinout and software compatible with single-power
supply flash standard
Erase Suspend / Erase Resume
Data# poll and toggle for Program/erase status
CFI ( Common Flash Interface) supported
Unlock Bypass program
Autoselect mode
Auto-sleep mode after t
ACC
+ 30ns
HARDWARE FEATURES
• Hardware reset input pin ( RESET#)
- Provides a hardware reset to device
- Any internal device operation is terminated and the
device returns to read mode by the reset
• Ready/Busy# output pin ( RY/BY#)
- Provides a program or erase operational status
about whether it is finished for read or still being
progressed
• Sector protection / unprotection ( RESET# , A9 )
- Hardware method of locking a sector to prevent
any program or erase operation within that sector
- Two methods are provided :
- In-system method by RESET# pin
- A9 high-voltage method for PROM programmers
• Temporary Sector Unprotection ( RESET# )
- Allows temporary unprotection of previously
protected sectors to change data in-system
DEVICE PERFORMANCE
• Read access time
- 90ns/120n for normal Vcc range ( 2.7V - 3.6V )
- 70ns for regulated Vcc range ( 3.0V - 3.6V )
• Program and erase time
- Program time : 6us/byte, 8us/word ( typical )
- Sector erase time : 0.7sec/sector ( typical )
• Power consumption (typical values)
- 200nA in standby or automatic sleep mode
- 9mA active read current at 5 MHz
- 15mA active write current during program or erase
ES29LV160D
1
Rev. 1C Jan 5 , 2006
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