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10A2

产品描述10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小127KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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10A2概述

10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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10A05 SERIES
SILICON RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• High surge current capability
• Low leakage
• Low forward voltage drop
• High current capability
• Low lost
.360(9.1)
.340(8.6)
1.0(25.4)MIN.
.052(1.3)
.048(1.2)
50~1000 Volt
CURRENT
10 Ampere
P-600
Unit: inch(mm)
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
MECHANICAL DATA
Case: Molded plastic, P600
1.0(25.4)MIN.
Terminals: Axial leads, solderable to MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Color Band denotes cathode end
Weight: 0.0719 ounce, 2.04 gram
.360(9.1)
.340(8.6)
MAXIMUM RATINGS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz resistive or inductive load.
For Capacitive load derate current by 20%.
PARAMETER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
Peak Forward Surge Current : 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Maximum Forward Voltage at 10A
Maximum DC Reverse Current at Rated DC
Blocking Voltage
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL 10A05
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F
(
AV
)
I
FSM
V
F
I
R
R
JL
R
JA
C
J
T
J
,T
STG
50
35
50
10A1
100
70
100
10A2
200
140
200
10A4
400
280
400
10
400
1.1
10
6
16
100
10A6
600
420
600
10A8
800
560
800
10A10 UNITS
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
A
O
C/W
pF
O
-55 to +150
C
Note:1.Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4 Volt.
2.The testing condition of the thermal resistance (junction to ambient and junction to lead) is based on 0mm lead
length between two 10cm x 10cm x 0.5mm copper pad heatsinks.
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