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C1005NP0189CGBQ

产品描述Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 13.8889% +Tol, 13.8889% -Tol, NP0, -/+30ppm/Cel TC, 0.0000018uF, 0402
产品类别无源元件    电容器   
文件大小173KB,共7页
制造商达方(DARFON)
官网地址http://www.darfon.com.cn/
标准
达方电子为全球前二大的液晶电视背光模块变频器 (LCD TV Inverter)与全球前二大的笔记型电脑键盘 (Notebook Keyboard)制造商。达方电子创立于 1997年,秉持「平实务本、追求卓越、关怀社会」的企业文化,与「光电与精密元件的专家」的定位,专注于周边元件、电源元件、与整合元件的研发与产品服务。
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C1005NP0189CGBQ概述

Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 13.8889% +Tol, 13.8889% -Tol, NP0, -/+30ppm/Cel TC, 0.0000018uF, 0402

C1005NP0189CGBQ规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明, 0402
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
电容0.0000018 µF
电容器类型CERAMIC CAPACITOR
介电材料CERAMIC
高度0.5 mm
JESD-609代码e3
长度1 mm
制造商序列号C1005(NP0,LT10)-Q
多层Yes
负容差13.8889%
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装形式SMT
包装方法Bulk
正容差13.8889%
额定(直流)电压(URdc)50 V
系列C1005(NP0,LT10)-Q
尺寸代码0402
温度特性代码NP0
温度系数-/+30ppm/Cel ppm/°C
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
宽度0.5 mm

C1005NP0189CGBQ文档预览

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Electronics Corp.
Multi-Layer Ceramic Capacitor
C-S4-3-00
High Frequency NP0 (C0G) Dielectrics
Features
High Q, low ESR
A monolithic structure ensures high reliability and mechanical strength.
0603 (EIA 0201) Ultra-miniature size
Suitable for high speed SMT placement on PCBs.
Lead-Free Terminations
Ni barrier termination highly resistance to migration.
Lead-free termination is in compliance with the requirement of green plan and ROHS.
S4
Applications
Cellular Phone, Cordless Phone
GPS, VCO, RF Integrated Circuits
Wireless LAN, RF Transceivers
Communication Equipment
Custom Applications
High Frequency C0G (NP0) Dielectric Characteristics
Capacitance Range
Size
Test Voltage
Test Frequency
Capacitance Tolerance
0.2pF ~ 22pF
0603
(0201)
1005
(0402)
1608
(0603)
1.0 ± 0.2Vrms
1.0 ± 0.2MHz
± 0.25pF for cap<5pF (± 0.1pF available on request)
± 0.50pF for 5pF≦cap<10pF (± 0.1pF, ± 0.25pF available on request)
± 5% for cap≧10pF (± 1%, ± 2% available on request)
Operating Temperature Range
Temperature Coefficient
Rated Voltage
*Quality Factor
*ESR
-55℃ to +125℃
0 ± 30 ppm/℃ (EIA C0G)
16, 25 & 50 VDC
1,000 min.
ESR≦1200 mOhm for cap<1.0pF
ESR≦700 mOhm for 1.0pF≦cap<5.0pF
( ESR value @ 1GHz for cap<5.0pF;
ESR value @ 500 MHz for cap≧5.0p) ESR≦350 mOhm for 5.0pF≦cap
Insulation Resistance (+25℃, RVDC)
Insulation Resistance (+125℃, RVDC)
10 GΩ min.
1 GΩ min.
*
Measurements are performed on HP4287A with fixture 16196A (for 1608) / 16196B (for 1005) / 16196C (for 0603), 0.5V;
Environment 25℃+/-3℃, 30%~75%RH
Darfon Product Specification
1
Rev.: 3
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