12 A, 30 V, 0.0119 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
12 A, 30 V, 0.0119 ohm, P沟道, 硅, POWER, 场效应管, MS-012AA
参数名称 | 属性值 |
最小击穿电压 | 30 V |
端子数量 | 8 |
加工封装描述 | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8 |
each_compli | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | Active |
额定雪崩能量 | 120 mJ |
结构 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
drain_current_max__abs___id_ | 12 A |
最大漏电流 | 12 A |
最大漏极导通电阻 | 0.0119 ohm |
场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
jedec_95_code | MS-012AA |
jesd_30_code | R-PDSO-G8 |
jesd_609_code | e3 |
moisture_sensitivity_level | 1 |
元件数量 | 1 |
操作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最大工作温度 | 150 Cel |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
eak_reflow_temperature__cel_ | 260 |
larity_channel_type | P-CHANNEL |
wer_dissipation_max__abs_ | 2.5 W |
最大漏电流脉冲 | 96 A |
sub_category | Other Transistors |
表面贴装 | YES |
端子涂层 | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
ime_peak_reflow_temperature_max__s_ | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
IRF9388PBF_15 | IRF9388PBF | |
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描述 | 12 A, 30 V, 0.0119 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA | 12 A, 30 V, 0.0119 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
端子数量 | 8 | 8 |
元件数量 | 1 | 1 |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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