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PJD7NA60

产品描述600V N-Channel MOSFET
文件大小451KB,共9页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJD7NA60概述

600V N-Channel MOSFET

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P
PJU7NA60 / PJU7NA60-1 / PJD7NA60 / PJP7NA60 / PJF7NA60
600V N-Channel MOSFET
Voltage
Features
600 V
Current
7A
R
DS(ON)
, V
GS
@10V,I
D
@3.5A<1.2Ω
High switching speed
Improved dv/dt capability
Low Gate Charge
Low reverse transfer capacitance
Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.
Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Free)
TO-252AA
TO-251AA
TO-251AA-1
ITO-220AB-F
TO-220AB
Mechanical Data
Case: TO-251AA, TO-251AA -1,TO-252AA ,TO-220AB, ITO-220AB-F Package
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
TO-251AA Approx. Weight : 0.0104 ounces, 0.297grams
TO-251AA-1 Approx. Weight : 0.0118 ounces, 0.336grams
TO-252AA Approx. Weight : 0.0104 ounces, 0.297grams
TO-220AB Approx. Weight : 0.067 ounces, 1.9 grams
ITO-220AB-F Approx. Weight : 0.068 ounces, 2 grams
o
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
(T
A
=25 C unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 1)
Power Dissipation
T
C
=25
o
C
Derate above 25
o
C
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
140
1.12
145
1.16
-55~150
TO-251AA
TO-220AB
TO-251AA-1
ITO-220AB-F
TO-252AA
UNITS
600
+30
7
28
489
45
0.36
140
1.12
V
V
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Typical Thermal resistance
-
-
Junction to Case
Junction to Ambient
T
J
,T
STG
C
R
θJC
R
θJA
0.89
110
0.88
62.5
2.78
120
0.89
110
o
C/W
Limited only By Maximum Junction Temperature
March 16,2015-REV.01
Page 1
ucosii在avr128上运行时不能切换任务,只执行任务0
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