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2SB1427W6

产品描述Product Status:Active, Polarity:PNP, Config.(V):Single, VCBO Max.(V):-20, VCEO Max.(mA):-20, IC Max.(V):-3000, VCE(sat) Max.(IC (mA)):-0.2, VCE(sat) Max.(IB (mA)):-1600, VCE(sat) Max.(Min.):-53
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小210KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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2SB1427W6概述

Product Status:Active, Polarity:PNP, Config.(V):Single, VCBO Max.(V):-20, VCEO Max.(mA):-20, IC Max.(V):-3000, VCE(sat) Max.(IC (mA)):-0.2, VCE(sat) Max.(IB (mA)):-1600, VCE(sat) Max.(Min.):-53

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P2SB1427W6
PNP Low Vce(sat) Transistor
Voltage
Features
20V
Current
3A
SOT-23 6L-1
Unit: inch(mm)
Silicon PNP epitaxial type
Low Vce(sat) -0.2V(max)@Ic/Ib=-1.6A/-53mA
High collector current capability
Excellent DC current gain characteristics
Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU
directive.
Green molding compound as per IEC61249 Std.
(Halogen Free)
Mechanical Data
Case: SOT-23 6L-1 Package
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight: 0.0005 ounces, 0.014 grams
Marking: B27
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
(T
A
=25 C unless otherwise noted)
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
Typical Thermal Resistance from Junction to Ambient
(Note )
Note: Mounted on FR4 PCB at 1 inch square copper pad.
o
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
D
T
J
,T
STG
R
θJA
LIMIT
UNITS
V
V
V
A
A
A
W
o
o
-20
-20
-7
-3
-5
-0.3
1.2
-55~150
104
C
C/W
February 25,2015-REV.03
Page 1
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