S8550,S8550 pdf中文资料,S8550引脚图,S8550电路-Datasheet-电子工程世界

s8550: 文件大小2MB，共4页; 制造商萨科微(Slkor); 官网地址http://www.slkormicro.com/; 深圳市斯尔科微电子有限公司致力于第三代半导体 SiC 功率器件。我们的产品涵盖分立器件和集成电路、二极管、晶体管、功率器件和电源管理芯片。我们的品牌“Slkor”在半导体行业享有盛誉。我们提供从工业到军事应用的各种产品，包括 SiC 二极管、SiC MOSFET、IGBT、第五代超快恢复功率二极管等。这些产品广泛应用于电动汽车、高端设备、通讯设备等。

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S8550规格参数

参数名称	属性值
晶体管类型	PNP
集射极击穿电压(Vceo)	25V
集电极电流(Ic)	500mA
功率(Pd)	625mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)	600mV@500mA,50mA
特征频率(fT)	150MHz
工作温度	+150℃@(Tj)

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S8550

PNP General Purpose Transistors

TO-92

1. E MIT T E R

2. B A SE

3. COL L E CTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)

Rating

Collector-E m itter Voltage

Collector-B as e Voltage

E m itter-B as e VOltage

Collector Current

Total Device Dis s ipation T

=2 5 C

J unction Tem perature

S torage, Tem perature

Symbol

V CE O

V CB O

VE B O

Ts tg

Value

-2 5

-4 0

-5 . 0

-5 0 0

0.625

150

-5 5 to +1 5 0

Unit

Vdc

m Adc

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Collector-E m itter B reakdown Voltage (I C = -0 . 1 mAdc, I B =0 )

Collector-B as e B reakdown Voltage (I C = -1 0 0 µAdc, I E =0 )

E m itter-B as e B reakdown Voltage (I E = -1 0 0 µAdc, I C =0 )

Collector Cutoff Current (V CE = -2 0 Vdc, I B =0 )

Collector Cutoff Current (V CB = -4 0 Vdc, I E =0 )

E m itter Cutoff Current (V E B = -3 . 0 V d c, I C =0 )

Symbol

V (B R )CE O

V (B R )CB O

V (B R )E B O

I CE 0

I CB O

IE B O

Min

-2 5

-4 0

-5 . 0

Max

-0 . 2

-0 . 1

Unit

Vdc

uAdc

www.slkormicro.com

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